Документация
Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.1 А, 1.25 Вт, (Комплементарная пара 2SB1109)
У поставщика
ПроизводительHIT
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
129 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:129 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 12 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 57,85 |
| от 14 | 54,26 |
| от 28 | 50,89 |
| от 50 | 48,39 |
| от 150 | 46,10 |
Описание
Биполярный NPN транзистор от HIT. Выдерживает напряжение до 160 В, ток до 0.1 А и мощность 1.25 Вт. Выпускается в корпусе TO-126 MOD. Подходит для использования в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | NPN |
| Вес | 0.67 g |
| Корпус | TO-126 MOD |
| Материал | Silicon epitaxial |
| Тип монтажа | THT |
| Размеры | Other: see drawing; Ширина корпуса: 3.0 mm; Высота корпуса: 5.0 mm; Длина корпуса: 7.0 mm; Расстояние между выводами: 2.29 mm; Диаметр вывода: 0.55 mm |
| Применение | Low frequency power amplification |
| Hfe ranking | B: 60-120; C: 100-200; D: 160-320 |
| Артикул | 2SD1609 C |
| Корпус | TO-126 MOD |
| Complementary pair | 2SB1109, 2SB1110 |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Предельные значения | Ток коллектора Ic: 100 mA; Темп. перехода Tj: 150 °C; Storage temperature tstg: -45 to +150 °C; Напряжение эмиттер-база Vebo: 5 V; Напряжение коллектор-база Vcbo: 160 V; Напряжение коллектор-эмиттер Vceo: 160 V; Pк: 1.25 W |
| Электрические характеристики | Hfe1: Rank C: 60-120; Condition: Vce=5V, Ic=10mA; Hfe2: Min: 30; Condition: Vce=5V, Ic=1mA; Base emitter voltage vbe: Max: 1.5 V; Condition: Vce=5V, Ic=10mA; Gain bandwidth product ft: Typ: 140 MHz; Condition: Vce=5V, Ic=10mA; Ток отсечки коллектора Icbo: Max: 10 μA; Condition: Vcb=140V, Ie=0; Collector output capacitance cob: Typ: 3.8 pF; Condition: Vcb=10V, Ie=0, f=1MHz; Emitter base breakdown voltage vbr ebo: Min: 5 V; Condition: Ie=10μA, Ic=0; Collector base breakdown voltage vbr cbo: Min: 160 V; Condition: Ic=10μA, Ie=0; Collector emitter breakdown voltage vbr ceo: Min: 160 V; Condition: Ic=1mA, Rbe=∞; Collector emitter saturation voltage vce sat: Max: 2 V; Condition: Ic=30mA, Ib=3mA |
| Описание (англ.) | Bipolar transistor, NPN, 160 V, 0.1 A, 1.25 W, (Complementary pair 2SB1109) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?