+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
2SC3852A
Документация

Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 3 А, 25 Вт

Артикул:830541
У поставщика
ПроизводительSanken
У поставщиков
21 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:21 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 4 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1182,94
от 5173,80
от 10165,17
от 19158,84
от 38153,01
Описание

Биполярный NPN транзистор от Sanken. Выдерживает напряжение до 80 В, ток до 3 А и мощность 25 Вт, работает на частоте до 15 МГц. Выпускается в изолированном корпусе TO-220F. Подходит для импульсных источников питания и схем управления нагрузкой в промышленной автоматике.

Технические характеристики
Ib1A
Ic3A
Pc25W
Tj150°C
Tstg-55 to +150°C
ТипNPN Epitaxial Planar Transistor
Напряжение коллектор-база Vcbo100V
Напряжение коллектор-эмиттер Vceo80V
Напряжение эмиттер-база Vebo6V
Ft typ15MHz
ВесApprox 2.0g
Cob typ50pF
Мин. HFE500
КорпусFM20 (TO220F)
Icbo макс.10mA
Макс. IEBO100mA
Тип монтажаВыводной
Компонент2SC3852A
РазмерыA: 10.1±0.2mm; B: ø3.3±0.2mm; C: 4.2±0.2mm; D: 2.8mm; E: 0.5mm; F: 1.35±0.15mm; G: 1.35±0.15mm; H: 2.54mm; I: 2.5mm; J: 0.85+0.2/-0.1mm; K: 0.45+0.2/-0.1mm; L: 2.4±0.2mm; M: 2.2±0.2mm; N: 3.0±0.61mm; O: 13.0min mm; P: 8.4±0.2mm; Q: 3.9mm; R: 4.0±0.2mm; S: 8.0±0.2mm
ПрименениеDriver for Solenoid and Motor, Series Regulator and General Purpose
Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер80V
Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5V
Switching ic1.0A
Switching rl20ohm
Ft conditionsVCE=12V, IE=-0.2A
Switching ib115mA
Switching ib2-30mA
Switching vcc20V
Cob conditionsVCB=10V, f=1MHz
Hfe conditionsVCE=4V, IC=0.5A
Switching vbb110V
Switching vbb2-5V
Switching tf typ1.2ms
Switching ton typ0.8ms
Switching tstg typ3.0ms
Vce sat conditionsIC=2A, IB=50mA
Тип упаковкиBulk (россыпь)
Описание (англ.)Bipolar transistor, NPN 80V, 3A 25W 15MHz

Заметили ошибку в описании или параметрах?