Документация
2SC3835, Транзистор биполярный, NPN, Ic=7А, Vceo=120В, Vcbo=200В, Pd=70Вт , hFE= 70 220 [TO-3PN]
У поставщика
ПроизводительInchange
У поставщиков
2 шт.
Норм. уп.: 2
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:2 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 83,84 |
| от 2 | 77,00 |
Описание
Биполярный NPN-транзистор 2SC3835 от Inchange. Выдерживает ток коллектора до 7 А, напряжение до 120 В и мощность 70 Вт. Выпускается в корпусе TO-3PN для монтажа в отверстия. Подходит для импульсных источников питания и силовых цепей промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Pc | 70W |
| Тип | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 200V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 120V |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 8V |
| Ib max | 3A |
| Макс. HFE | 220 |
| Мин. HFE | 70 |
| Корпус | TO-3P / TO-3PN |
| Ic pulse | 14A |
| Тип монтажа | THT |
| Полярность | NPN |
| Время спада | 0.5µs |
| Hfe ranks | A: 70-130; B: 120-170; C: 160-220 |
| Power - Max | 70 W |
| Время хранения | 3.0µs |
| Время включения | 0.5µs |
| Mounting Type | Through Hole |
| Ic continuous | 7A |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Описание | TRANS NPN 120V 7A TO-3P |
| Выходная емкость | 110pF |
| Vbe saturation typ | 1.2V |
| Vce saturation typ | 0.5V |
| Частота перехода | 30MHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Frequency - Transition | 30MHz |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Vbe saturation condition | Ic=3A, Ib=0.3A |
| Vce saturation condition | Ic=3A, Ib=0.3A |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Switching test conditions | Vcc=50V, Rl=16.7Ω, Ic=3A, Vbb1=10V, Vbb2=-5V, Ib1=0.3A, Ib2=-0.6A |
| Макс. ток отсечки эмиттера | 100µA |
| Диап. раб. темп. | 0°C to 70°C |
| Макс. ток отсечки коллектора | 100µA |
| Output capacitance condition | Vcb=10V, Ie=0, f=1MHz |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 300mA, 3A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 7 A |
| Transition frequency condition | Vce=12V, Ie=-0.5mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
| Условия тока отсечки эмиттера | Veb=8V, Ic=0 |
| Условия тока отсечки коллектора | Vcb=200V, Ie=0 |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 3A, 4V |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 120V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120 V |
| Collector emitter breakdown voltage condition | Ic=50mA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?