+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
2SC3835
Документация

2SC3835, Транзистор биполярный, NPN, Ic=7А, Vceo=120В, Vcbo=200В, Pd=70Вт , hFE= 70 220 [TO-3PN]

Артикул:1206881
У поставщика
ПроизводительInchange
У поставщиков
2 шт.
Норм. уп.: 2
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:2 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 183,84
от 277,00
Описание

Биполярный NPN-транзистор 2SC3835 от Inchange. Выдерживает ток коллектора до 7 А, напряжение до 120 В и мощность 70 Вт. Выпускается в корпусе TO-3PN для монтажа в отверстия. Подходит для импульсных источников питания и силовых цепей промышленной автоматики.

Технические характеристики
Pc70W
ТипNPN Epitaxial Silicon Transistor
Vcbo200V
Vceo120V
Vebo8V
Ib max3A
Макс. HFE220
Мин. HFE70
КорпусTO-3P / TO-3PN
Ic pulse14A
Тип монтажаTHT
ПолярностьNPN
Время спада0.5µs
Hfe ranksA: 70-130; B: 120-170; C: 160-220
Время хранения3.0µs
Время включения0.5µs
Ic continuous7A
Выходная емкость110pF
Vbe saturation typ1.2V
Vce saturation typ0.5V
Частота перехода30MHz
Макс. темп. перехода150°C
Vbe saturation conditionIc=3A, Ib=0.3A
Vce saturation conditionIc=3A, Ib=0.3A
Диап. темп. хр.-55°C to +150°C
Switching test conditionsVcc=50V, Rl=16.7Ω, Ic=3A, Vbb1=10V, Vbb2=-5V, Ib1=0.3A, Ib2=-0.6A
Emitter cutoff current max100µA
Диап. раб. темп.0°C to 70°C
Макс. ток отсечки коллектора100µA
Output capacitance conditionVcb=10V, Ie=0, f=1MHz
Transition frequency conditionVce=12V, Ie=-0.5mA
Emitter cutoff current conditionVeb=8V, Ic=0
Collector cutoff current conditionVcb=200V, Ie=0
Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер120V
Collector emitter breakdown voltage conditionIc=50mA

Заметили ошибку в описании или параметрах?