Документация
Биполярный транзистор, NPN, 230 В, 15 А, 130 Вт, (Комплементарная пара 2SA1294)
У поставщика
ПроизводительSanken
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
65 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:65 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 333,68 |
| от 3 | 318,54 |
| от 6 | 304,28 |
| от 11 | 293,79 |
| от 22 | 284,15 |
Описание
Биполярный NPN-транзистор 2SC3263 Y от Sanken предназначен для работы в мощных аудиоусилителях и источниках питания. Компонент рассчитан на высокое напряжение коллектор-эмиттер и значительный ток коллектора, обеспечивая выходную мощность до 130 Вт. Транзистор образует комплементарную пару с моделью 2SA1294, что позволяет строить двухтактные выходные каскады с минимальными искажениями.
Технические характеристики
| Граничная частота fT | 60MHz |
| Ib | 4A |
| Ic | 15A |
| Pc | 130W |
| Tj | 150°C |
| Cob | 250pF |
| Tstg | -55 to 150°C |
| Тип | NPN Epitaxial Planar Transistor |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 230V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 230V |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 5V |
| Цоколевка | 1: Base; 2: Collector; 3: Emitter; 4: Collector (tab) |
| Rth JA | 35.7°C/W |
| Rth jc | 0.96°C/W |
| Макс. HFE | 140 |
| Мин. HFE | 40 |
| Корпус | TO3P-3L |
| Без свинца | Да |
| Icbo макс. | 100µA |
| Макс. IEBO | 100µA |
| Тип монтажа | Выводной |
| Компонент | 2SC3263 |
| Кол-во выводов | 3 |
| Размеры | Ширина: 15.6mm; Высота: 4.8mm; Длина: 15.8mm; Шаг выводов: 5.45mm; Толщина вывода: 0.65mm |
| Hfe rank O | 50 to 100 |
| Hfe rank R | 40 to 80 |
| Hfe rank Y | 70 to 140 |
| Применение | Audio Power Amplifier |
| Описание | Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor, 230V, 15A, LAPT for audio power amplifier |
| Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.0V |
| Момент затяжки винта | 0.686 to 0.882 N·m |
| Соотв. RoHS | Да |
| Soldering flow | 260±5°C, 10±1s, 2 times |
| Soldering iron | 380±10°C, 3.5±0.5s, 1 time |
| Complementary pair | 2SA1294 |
| Ft test conditions | VCE=12V, IE=-2A |
| Vceo breakdown min | 230V |
| Cob test conditions | VCB=10V, IE=0A, f=1MHz |
| Hfe test conditions | VCE=4V, IC=5A |
| Vce sat test conditions | IC=5A, IB=0.5A |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Описание (англ.) | Bipolar transistor, NPN, 230 V, 15 A, 130 W, (Complementary pair 2SA1294) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?