+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
2SC2712-Y
Документация

2SC2712-Y, Биполярный транзистор NPN 50В 0.15А 0.15Вт SOT23-3

Артикул:1206879
У поставщика
ПроизводительTOSHIBA
У поставщиков
4 900 шт.
Норм. уп.: 100
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
1 000 шт · Склад 12 · 2 330,00 ₽
Описание

Биполярный транзистор NPN от Toshiba. Работает при напряжении до 50 В, токе до 0,15 А и рассеивает до 150 мВт. Выпускается в компактном SMD-корпусе SOT-23-3. Подходит для усиления и коммутации в бытовой электронике и портативных устройствах.

Технические характеристики
Масса12mg
ТипNPN Bipolar Transistor
Напряжение коллектор-база Vcbo60V
Напряжение коллектор-эмиттер Vceo50V
Напряжение эмиттер-база Vebo5V
КорпусSOT-23 (TO-236MOD, SC-59)
Тип монтажаSMD
Hfe class y120-240
Артикул2SC2712-Y
ПроизводительToshiba
КорпусSOT-23-3
Комплементарный аналог2SA1162
Коэф. усиления DC70-700
Ток базы, макс.30mA
Макс. коэфф. шума10dB
ОписаниеBipolar Transistors - BJT
Noise figure testVCE=6V, IC=0.1mA, f=1kHz, RG=10kΩ
Рассеиваемая мощность150mW
Классификация hFEO: 70-140; Y: 120-240; BL: 350-700; GR: 200-400
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, макс.0.25V
СтруктураNPN
Vce saturation testIC=100mA, IB=10mA
Тип. коэфф. шума1dB
Макс. ток коллектора150mA
Vce saturation typical0.1V
Макс. темп. перехода125°C
Мин. частота перехода80MHz
Диап. темп. хр.-55 to 125°C
Transition frequency testVCE=10V, IC=1mA
Макс. ток отсечки эмиттера0.1μA
Emitter cutoff current testVEB=5V, IC=0
Макс. ток отсечки коллектора0.1μA
Collector cutoff current testVCB=60V, IE=0
Условия hFEVCE=6V, IC=2mA
Collector output capacitance max3.5pF
Collector output capacitance testVCB=10V, f=1MHz
Выходная ёмкость коллектора, тип.2.0pF

Заметили ошибку в описании или параметрах?