Документация
Биполярный транзистор, NPN, 50В, 0.15А, 0.15Вт
У поставщика
ПроизводительTOS
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
7 650 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:7 650 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 246 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,81 |
| от 347 | 2,45 |
| от 694 | 2,16 |
| от 1 388 | 1,93 |
| от 3 000 | 1,78 |
Описание
Биполярный NPN-транзистор 2SC2712 GR от TOS в компактном корпусе SOT-23. Рассчитан на напряжение до 50 В, ток до 0,15 А и мощность 0,15 Вт. Подходит для применения в бытовой электронике и цепях управления.
Технические характеристики
| Масса | 12mg |
| Тип | NPN silicon epitaxial planar transistor |
| Ft мин. | 80MHz |
| Ib max | 30mA |
| Макс. ток коллектора | 150mA |
| Nf max | 10dB |
| Nf typ | 1dB |
| Макс. Pc | 150mW |
| Макс. Tj | 125°C |
| Cob max | 3.5pF |
| Cob typ | 2.0pF |
| Корпус | SC-59 (TO-236MOD) |
| Icbo макс. | 0.1μA |
| Макс. IEBO | 0.1μA |
| Тип монтажа | SMD |
| Макс. Tstg | 125°C |
| Мин. Tstg | -55°C |
| VCBO макс. | 60V |
| Vceo макс. | 50V |
| Vebo макс. | 5V |
| Hfe gr max | 400 |
| Hfe gr min | 200 |
| Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25V |
| Vce sat typ | 0.1V |
| Применение | low frequency amplification, low noise, AM amplification |
| Ft condition | VCE=10V, IC=1mA |
| Производитель | Toshiba |
| Nf condition | VCE=6V, IC=0.1mA, f=1kHz, RG=10kΩ |
| Корпус | SOT-23 |
| Cob condition | VCB=10V, f=1MHz |
| Complementary | 2SA1162 |
| Icbo condition | VCB=60V, IE=0 |
| Iebo condition | VEB=5V, IC=0 |
| Vce sat condition | IC=100mA, IB=10mA |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Hfe measurement condition | VCE=6V, IC=2mA |
| Описание (англ.) | Bipolar transistor, NPN, 50 V, 0.15 A, 0.15 W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?