Документация
Биполярный транзистор, NPN, 50В, 0.15А, 0.15Вт
У поставщика
ПроизводительTOS
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
7 344 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт2,71 ₽
Сумма813,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии7 344 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 300 штюрлицам и ИП
от 347 — 2,37 ₽ (−13%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 813,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 487,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
300 шт · Склад 13 · 813,00 ₽
Описание
Биполярный NPN-транзистор 2SC2712 GR от TOS в компактном корпусе SOT-23. Рассчитан на напряжение до 50 В, ток до 0,15 А и мощность 0,15 Вт. Подходит для применения в бытовой электронике и цепях управления.
Технические характеристики
| Масса | 12mg |
| Тип | NPN silicon epitaxial planar transistor |
| Ft мин. | 80MHz |
| Макс. ток базы | 30mA |
| Макс. ток коллектора | 150mA |
| Макс. коэфф. шума | 10dB |
| Тип. коэфф. шума | 1dB |
| Макс. Pc | 150mW |
| Макс. Tj | 125°C |
| COB, макс. | 3.5pF |
| Тип. ёмкость коллектор-база | 2.0pF |
| Корпус | SC-59 (TO-236MOD) |
| Icbo макс. | 0.1μA |
| Макс. IEBO | 0.1μA |
| Тип монтажа | SMD |
| Макс. Tstg | 125°C |
| Мин. Tstg | -55°C |
| VCBO макс. | 60V |
| Vceo макс. | 50V |
| Vebo макс. | 5V |
| Hfe gr max | 400 |
| Hfe gr min | 200 |
| Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25V |
| Напряжение насыщения Vce, тип. | 0.1V |
| Применение | low frequency amplification, low noise, AM amplification |
| Условия измерения граничной частоты | VCE=10V, IC=1mA |
| Производитель | Toshiba |
| Условия NF | VCE=6V, IC=0.1mA, f=1kHz, RG=10kΩ |
| Cob condition | VCB=10V, f=1MHz |
| Комплементарный аналог | 2SA1162 |
| Icbo condition | VCB=60V, IE=0 |
| Iebo condition | VEB=5V, IC=0 |
| Vce sat condition | IC=100mA, IB=10mA |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Hfe measurement condition | VCE=6V, IC=2mA |
| Описание (англ.) | Bipolar transistor, NPN, 50 V, 0.15 A, 0.15 W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?