Документация
2SC2625, Транзистор биполярный, NPN, Ic=10А, Vceo=400В, Vcbo=450В, Pd=80Вт , hFE= >=10 [TO-3PN]
У поставщика
ПроизводительInchange
У поставщиков
24 шт.
Норм. уп.: 2
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:24 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 175,95 |
| от 2 | 162,84 |
Описание
Биполярный NPN транзистор 2SC2625 от Inchange. Рассчитан на ток коллектора до 10 А и напряжение коллектор-эмиттер 400 В, рассеиваемая мощность — 80 Вт. Выполнен в корпусе TO-3PN для монтажа в отверстия. Применяется в импульсных источниках питания, блоках развертки и другой высоковольтной силовой электронике.
Технические характеристики
| Цоколевка | 1: Base; 2: Collector; 3: Emitter |
| Корпус | TO-3PN |
| Тип монтажа | THT |
| Полярность | NPN |
| Компонент | 2SC2625 |
| Описание | Silicon NPN Power Transistor, high voltage high speed switching |
| Тепл. хар-ки | Rth jc: 1.55 °C/W |
| Предельные значения | I b: 3A; I c: 10A; P c: 80W; V cbo: 450V; V ceo: 400V; V ebo: 7V; Макс. Tj: 150°C; Tstg range: -55~150°C |
| Электрические характеристики | I cbo: 1.0mA max; I ebo: 0.1mA max; Мин. HFE: 10; V be sat: 1.5V max; V br cbo: 450V min; V br ceo: 400V min; V br ebo: 7V min; V ce sat: 1.2V max; V ceo sus: 400V min; Switching times: T f: 1.0 µs; T s: 2.0 µs; T on: 1.0 µs; Условия теста: Ic=7.5A, Ib1=Ib2=1.5A, RL=20Ω, Pw=20μs, duty≤2% |
Заметили ошибку в описании или параметрах?