Документация
Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 10 А, 80 Вт
У поставщика
ПроизводительFUJI ELECTRIC
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
13 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:13 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 296,83 |
| от 5 | 293,01 |
| от 10 | 288,21 |
| от 20 | 281,76 |
| от 60 | 272,84 |
Описание
Биполярный NPN транзистор от FUJI ELECTRIC. Рассчитан на напряжение до 400 В, ток до 10 А и мощность 80 Вт. Выполнен в корпусе TO-3PB. Применяется в импульсных источниках питания и силовых преобразователях.
Технические характеристики
| Тип | Bipolar Junction Transistor (BJT) |
| Jedece | SC-65 |
| Корпус | TO-3P |
| Особенности | High voltage, High speed switching, High reliability |
| Тип монтажа | Выводной |
| Полярность | NPN |
| Технология | Triple Diffused Planar |
| Артикул | 2SC2625 |
| Применение | Switching regulators, Ultrasonic generators, High frequency inverters, General purpose power amplifiers |
| Производитель | Fuji |
| Base current ib | 3A |
| Fall time tf max | 1.0µs |
| Ток коллектора Ic | 10A |
| Turn on time ton max | 1.0µs |
| Storage time tstg max | 2.0µs |
| Hfe мин. | 10 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Storage temperature tstg | -55 to +150°C |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 7V |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 450V |
| Описание (англ.) | Bipolar transistor, NPN, 400 V, 10 A, 80 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 400V |
| Pк | 80W |
| Switching time test conditions | IC=7.5A, IB1=-IB2=1.5A, RL=20Ω, PW=20µs, Duty<=2% |
| Operating junction temperature tj | 150°C |
| Dc current gain hfe test conditions | IC=4A, VCE=5V |
| Emitter base leakage current iebo max | 0.1mA |
| Collector base leakage current icbo max | 1.0mA |
| Thermal resistance junction to case rth jc | 1.55°C/W |
| Base emitter saturation voltage vbe sat max | 1.5V |
| Emitter base leakage current test conditions | VEBO=7V |
| Collector emitter sustaining voltage vceo sus | 400V |
| Collector base leakage current test conditions | VCBO=450V |
| Collector emitter saturation voltage vce sat max | 1.2V |
| Collector emitter saturation voltage test conditions | IC=4A, IB=0.8A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?