Документация
Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 0.1 А, 0.3 Вт
У поставщика
ПроизводительTOS
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
1 шт.
Норм. уп.: 200
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 200
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 121,98 |
| от 7 | 115,43 |
| от 14 | 109,25 |
| от 28 | 104,71 |
| от 56 | 100,53 |
Описание
Биполярный NPN-транзистор 2SC2240GR от TOS. Рабочее напряжение до 120 В, ток до 0,1 А и мощность 0,3 Вт. Выполнен в корпусе TO-92 с формованными выводами. Подходит для применения в усилительных каскадах и коммутации сигналов в бытовой электронике.
Технические характеристики
| Tstg | -55°C to 125°C |
| Тип | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 120V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 120V |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 5V |
| Ib max | 20mA |
| Макс. ток коллектора | 100mA |
| Макс. Pc | 300mW |
| Цоколевка | 1: Emitter, 2: Collector, 3: Base |
| Макс. Tj | 125°C |
| Вес | 0.21g |
| Cob typ | 3.0pF |
| Макс. HFE | 700 |
| Мин. HFE | 200 |
| Корпус | TO-92 |
| Vbe typ | 0.65V |
| Icbo макс. | 0.1µA |
| Макс. IEBO | 0.1µA |
| Тип монтажа | Выводной |
| Nf typ 1 | 4dB (RG=100Ω, VCE=6V, IC=100µA, f=1kHz) |
| Nf typ 2 | 0.5dB (RG=1kΩ, VCE=6V, IC=100µA, f=1kHz) |
| Nf typ 3 | 2dB (VCE=6V, IC=0.1mA, f=1kHz, RG=10kΩ) |
| Nf typ 4 | 6dB (VCE=6V, IC=0.1mA, f=10Hz, RG=10kΩ) |
| Компонент | 2SC2240GR |
| Размеры | 5.1mm x 4.1mm x 12.7mm (body), lead pitch 1.27mm |
| Применение | Low Noise Audio Amplifier |
| Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3V |
| Классификация hFE | GR: 200-400, BL: 350-700 |
| Vceo breakdown min | 120V |
| Тип упаковки | Amunition Pack (лента в коробке) |
| Мин. частота перехода | 100MHz |
| Описание (англ.) | Bipolar transistor, NPN, 120 V, 0.1 A, 0.3 W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?