Документация
Транзистор биполярный 2SC1815GR (2PC1815) / NPN, 0.15А, 50В, TO-92
У поставщика
ПроизводительJSCJ
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
5 071 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:5 071 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 136 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 5,11 |
| от 137 | 4,47 |
| от 274 | 3,90 |
| от 548 | 3,47 |
| от 1 000 | 3,12 |
Описание
Транзистор биполярный NPN 2SC1815GR (2PC1815) производства JSCJ. Компонент рассчитан на ток до 0.15 А и напряжение до 50 В, выпускается в корпусе TO-92. Подходит для применения в схемах усиления и переключения сигналов малой мощности. Популярная модель для ремонта и сборки радиоэлектронных устройств.
Технические характеристики
| Eiaj | SC-43 |
| Tstg | -55~125°C |
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 60V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 50V |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 5V |
| Ft мин. | 80MHz |
| Ib max | 50mA |
| Макс. ток коллектора | 150mA |
| Nf max | 10dB |
| Nf typ | 1.0dB |
| Макс. Pc | 400mW |
| Цоколевка | 1: EMITTER, 2: COLLECTOR, 3: BASE |
| Макс. Tj | 125°C |
| Вес | 0.21g |
| Cob max | 3.5pF |
| Cob typ | 2.0pF |
| Корпус | TO-92 |
| Rbb typ | 50Ω |
| Hfe1 max | 700 |
| Hfe1 min | 70 |
| Hfe2 min | 25 |
| Hfe2 typ | 100 |
| Icbo макс. | 0.1µA |
| Макс. IEBO | 0.1µA |
| Тип монтажа | Выводной |
| Компонент | 2SC1815GR |
| Размеры | Unit in mm |
| Описание | TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) |
| Vbe нас. макс. | 1.0V |
| Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25V |
| Vce sat typ | 0.1V |
| Применение | Audio Frequency General Purpose Amplifier, Driver Stage Amplifier |
| Комплементарный аналог | 2SA1015 (O, Y, GR class) |
| Ft test condition | VCE=10V, IC=1mA |
| Nf test condition | VCE=6V, IC=0.1mA, f=1kHz, RG=10kΩ |
| Cob test condition | VCB=10V, IE=0, f=1MHz |
| Rbb test condition | VCE=10V, IE=-1mA, f=30MHz |
| Hfe1 test condition | VCE=6V, IC=2mA |
| Hfe2 test condition | VCE=6V, IC=150mA |
| Hfe classification GR | 200~400 |
| Vbe sat test condition | IC=100mA, IB=10mA |
| Vce sat test condition | IC=100mA, IB=10mA |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Описание (англ.) | Bipolar transistor, NPN, 60 V, 0.15 A, 0.4 W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?