Транзистор биполярный (BJTs) 2SC1815
У поставщика
У поставщиков
8 980 шт.
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 300 | 0,60 |
| от 800 | 0,56 |
| от 2 000 | 0,54 |
| от 4 000 | 0,54 |
Цены поставщиков
РадиоЧип
В наличии:8 980 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 300 | 0,60 |
| от 800 | 0,56 |
| от 2 000 | 0,54 |
| от 4 000 | 0,54 |
Описание
Транзистор биполярный NPN 2SC1815 от MERRYELC. Работает при напряжении до 50 В и токе до 150 мА, рассеиваемая мощность — 200 мВт. Выпускается в миниатюрном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Подходит для усиления и коммутации сигналов в бытовой электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | NPN bipolar junction transistor |
| Макс. ток коллектора | 150mA |
| Макс. Pc | 200mW |
| Маркировка | HF |
| Корпус | SOT-23 |
| Icbo макс. | 100nA |
| Макс. ток коллектор-эмиттер | 100nA |
| Макс. IEBO | 100nA |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | 2SC1815 |
| Hfe range | 130-400 |
| V cbo max | 60V |
| V ceo max | 50V |
| V ebo max | 5V |
| Hfe rank h | 200-400 |
| Hfe rank l | 130-200 |
| V be sat max | 1.00V |
| V br cbo min | 60V |
| V br ceo min | 50V |
| V br ebo min | 5V |
| V ce sat max | 0.25V |
| Complementary | A1015 |
| Коэф. усиления DC | 120 400 |
| Ток коллектора | 150 mA |
| F test conditions | VCE=10V, IC=1mA, f=30MHz |
| Рассеиваемая мощность | 200 mW |
| Тепловое сопротивление | 625 ℃/W |
| Hfe test conditions | VCE=6V, IC=2mA |
| Частота перехода | 80MHz |
| Напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Ток отсечки эмиттера | 0.1 uA |
| Напряжение коллектор-база | 60 В |
| Ток отсечки коллектора | 0.1 uA |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| V be sat test conditions | IC=100mA, IB=10mA |
| V ce sat test conditions | IC=100mA, IB=10mA |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 50 В |
| Диапазон темп. перехода | -55～+150 ℃ |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 5 В |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | 1 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 60 В |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 50 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 В |
| Термосопротивление переход-среда | 625°C/W |