Документация
Транзистор 2SC1815
В наличии
На своём складе
46 725 шт.
Норм. уп.: 2000
У поставщиков
1 780 шт.
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 300 | 0,29 |
| от 800 | 0,27 |
| от 2 000 | 0,26 |
| от 4 000 | 0,26 |
Цены поставщиков
РадиоЧип
В наличии:1 780 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 300 | 0,29 |
| от 800 | 0,27 |
| от 2 000 | 0,26 |
| от 4 000 | 0,26 |
Описание
Транзистор биполярный NPN 2SC1815 от KEEN SIDE. Выполнен в миниатюрном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа, имеет маркировку HF и коэффициент усиления по току от 120 до 400. Подходит для усиления и коммутации сигналов в бытовой электронике и портативных устройствах.
Технические характеристики
| Тип | NPN |
| Маркировка | HF |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Hfe rank h max | 400 |
| Hfe rank h min | 200 |
| Hfe rank l max | 240 |
| Hfe rank l min | 120 |
| Коэф. усиления DC | 120 400 |
| Размеры a макс. | 1.150mm |
| Мин. размер A | 0.900mm |
| Размеры b макс. | 0.500mm |
| Размер B мин. | 0.300mm |
| Размеры c макс. | 0.150mm |
| Размер C мин. | 0.080mm |
| Макс. размер D | 3.000mm |
| Мин. размер D | 2.800mm |
| Dimensions e max | 1.400mm |
| Dimensions e min | 1.200mm |
| Dimensions e typ | 0.950mm |
| Dimensions l ref | 0.550mm |
| Ток коллектора | 150 mA |
| Dimensions a1 max | 0.100mm |
| Dimensions a1 min | 0.000mm |
| Dimensions a2 max | 1.050mm |
| Dimensions a2 min | 0.900mm |
| Dimensions e1 max | 2.550mm |
| Dimensions e1 min | 2.250mm |
| Dimensions l1 max | 0.500mm |
| Dimensions l1 min | 0.300mm |
| Рассеиваемая мощность | 200 mW |
| Тепловое сопротивление | 625 ℃/W |
| Dimensions e1 max 2 | 2.000mm |
| Dimensions e1 min 2 | 1.800mm |
| Ток коллектора Ic | 150mA |
| Dimensions theta max | 8° |
| Dimensions theta min | 0° |
| Частота перехода | 80 MHz |
| Напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Ток отсечки эмиттера | 0.1 uA |
| Напряжение коллектор-база | 60 В |
| Макс. коэффициент усиления по току | 400 |
| Hfe мин. | 120 |
| Граничная частота ft | 80MHz |
| Ток отсечки коллектора | 0.1 uA |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | 5V |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 50 В |
| Диапазон темп. перехода | -55～+150 ℃ |
| Saturation test conditions | Ic=100mA, Ib=10mA |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 60V |
| Ток отсечки эмиттера Iebo | 0.1uA |
| Ток отсечки коллектора Icbo | 0.1uA |
| Junction temperature range tj | -55 to 150°C |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 5 В |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 50V |
| Pк | 200mW |
| Диапазон температур хранения | -55 to 150°C |
| Условия hFE | Vce=6V, Ic=2mA |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | 1 В |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 60 В |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 50 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 В |
| Transition frequency test conditions | Vce=10V, Ic=1mA, f=30MHz |
| Пробивное эмиттер-база | 5V |
| Base emitter saturation voltage vbesat | 1V |
| Напряжение пробоя коллектор-база Vbrcbo | 60V |
| Напряж. пробоя К-Э | 50V |
| Напряжение насыщения КЭ | 0.25V |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 625°C/W |