+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
Документация

2SB772-P TO-92 транзистор биполярный (арт. 009146)

Артикул:737512
У поставщика
ПроизводительChina
У поставщиков
2 000 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:2 000 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 1000
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 12,30
Описание

Транзистор биполярный 2SB772-P в корпусе TO-92 производства China. Это кремниевый PNP-транзистор средней мощности, предназначенный для работы в усилительных и переключающих цепях. Компонент подходит для применения в аудиоусилителях, драйверах нагрузки и других электронных схемах общего назначения.

Технические характеристики
Tj150°C
Tstg-55°C to 150°C
ТипPNP bipolar transistor
I cbo-1µA
I ebo-1µA
ТипБиполярный транзистор
I c max-3A
P c max1.0W
КорпусTO-92
C output55pF
I c peak-7A
МатериалSilicon
Тип монтажаTHT
ПолярностьPNP
V cb max-40V
V ce max-30V
V eb max-5V
Артикул2SB772-P
F transition80MHz
КорпусTO-92
МонтажВыводной
Hfe conditionsIc=-20mA,Vce=-2V: min30; Ic=-1A,Vce=-2V: 60-120; Q:100-200; P:160-320; E:200-400
V cb breakdown-40V
V ce breakdown-30V
V eb breakdown-5V
V be saturation-2.0V
V ce saturation-0.5V
Выходная емкость55pF
Макс. коэф. усиления DC320
Hfe мин.160
Частота перехода80MHz
Макс. ток коллектора3A
Пиковый ток коллектора7A
Power dissipation case10W
Reverse current emitter1µA
Макс. темп. перехода150°C
Напряжение эмиттер-база макс.5V
Power dissipation ambient1.0W
Reverse current collector1µA
Диап. темп. хр.-55 to 150°C
Напряжение коллектор-база макс.40V
Напряжение коллектор-эмиттер макс.30V
Напряжение пробоя эмиттер-база5V
Напряжение насыщения база-эмиттер2.0V
Напряжение пробоя коллектор-база40V
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер30V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5V