Документация
Транзистор биполярный 2SB649 PNP, 1.5А, 160В, TO-126
У поставщика
ПроизводительJSCJ
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
963 шт.
Норм. уп.: 200
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:963 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 200
Минимальная партия: 46 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 15,11 |
| от 51 | 13,78 |
| от 101 | 12,52 |
| от 200 | 11,59 |
| от 600 | 10,75 |
Описание
Транзистор биполярный 2SB649 производства JSCJ — это кремниевый PNP-прибор средней мощности. Компонент рассчитан на ток до 1,5 А и напряжение до 160 В, размещается в корпусе TO-126. Предназначен для применения в усилительных каскадах, схемах коммутации и стабилизации напряжения.
Технические характеристики
| Корпус | TO-92L |
| Тип монтажа | Выводной |
| Компонент | 2SB649 |
| Описание | PNP bipolar transistor, 1.5A, 160V, TO-126 |
| Размеры мм | A: 3.750 to 4.050; D: 4.750 to 5.050; E: 7.850 to 8.150; L: 13.800 to 14.200; B: 0.380 to 0.550; C: 0.350 to 0.450; E: 1.270 TYP; H: 0.000 to 0.300; A1: 1.280 to 1.580; D1: 4.000; B1: 0.620 to 0.780; E1: 2.440 to 2.640; Φ: 1.600 |
| Тип транзистора | PNP |
| Ток коллектора | -1.5A |
| Коэф. усиления DC 1 | 60 to 320 |
| Коэффициент усиления DC 2 | 30 |
| Размеры в дюймах | A: 0.148 to 0.159; D: 0.187 to 0.199; E: 0.309 to 0.321; L: 0.543 to 0.559; B: 0.015 to 0.022; C: 0.014 to 0.018; E: 0.050 TYP; H: 0.000 to 0.012; A1: 0.050 to 0.062; D1: 0.157; B1: 0.024 to 0.031; E1: 0.096 to 0.104; Φ: 0.063 |
| Классификация hFE | 2SB649: B: 60-120; C: 100-200; D: 160-320; 2SB649A: B: 60-120; C: 100-200; D: 160-320 |
| Напряжение база-эмиттер | -1.5V |
| Напряжение эмиттер-база | -5V |
| Темп. перехода | 150°C |
| Частота перехода | 140MHz |
| Напряжение коллектор-база | -180V |
| Ток отсечки эмиттера | -10µA |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Ток отсечки коллектора | -10µA |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -120V |
| Dc current gain 1 2sb649a | 60 to 200 |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Мощн. коллектора | 900mW |
| Выходная емкость коллектора | 27pF |
| Описание (англ.) | Bipolar transistor, PNP, 160 V, 1.5 A, 0.9 W |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | -5V |
| Напряжение пробоя коллектор-база | -180V |
| Collector emitter voltage 2sb649a | -160V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | -120V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -1V |
| Термосопротивление переход-среда | 139°C/W |
| Collector emitter breakdown voltage 2sb649a | -160V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?