Документация
Транзистор 2SB1386Т100Q
Нет в наличии
Описание
Транзистор 2SB1386Т100Q от Yangjie — это кремниевый PNP-транзистор с эпитаксиально-планарной структурой. Он рассчитан на ток до -5 А, напряжение коллектор-эмиттер до -20 В и рабочую частоту до 60 МГц. Подходит для применения в импульсных источниках питания и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | PNP silicon transistor |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | -30V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | -20V |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | -6V |
| Pc ta | 0.5W |
| Ft typ | 120MHz |
| Макс. Tj | 150°C |
| Cob typ | 60pF |
| Макс. HFE | 390 |
| Мин. HFE | 82 |
| Hfe typ | 120 |
| Корпус | SCP-63 |
| Bvcb min | -30V |
| Bvce min | -20V |
| Bveb min | -6V |
| Icbo макс. | -0.5µA |
| Макс. IEBO | -0.5µA |
| Тип монтажа | SMD |
| Pc board | 2W |
| Макс. Tstg | 150°C |
| Мин. Tstg | -55°C |
| VCBO макс. | -30V |
| Vceo макс. | -20V |
| Vebo макс. | -6V |
| Bvcbo min | -30V |
| Bvceo min | -20V |
| Bvebo min | -6V |
| Ic dc max | -5A |
| Ic max dc | -5A |
| Упаковка | T100 |
| Структура | Epitaxial planar type |
| Taping tl | 2500 pieces |
| Артикул | 2SB1386 |
| Taping t100 | 1000 pieces |
| Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -1.0V |
| Vce sat typ | -0.35V |
| Ic max pulse | -10A |
| Ic pulse max | -10A |
| Package eiaj | SC-63 |
| Package rohm | CPT3 |
| Ft conditions | VCE = -6V, IE = 50mA, f = 100MHz |
| Тип монтажа | THT |
| Cob conditions | VCB = -20V, IE = 0A, f = 1MHz |
| Pc max 2sb1386 | 2W |
| Pc max 2sb1412 | 10W |
| Диап. частот | low frequency |
| Комплементарный NPN | 2SD2098 / 2SD2118 |
| Complementary pair | 2SD2098 / 2SD2118 |
| Классификация hFE | Q: 120-270 |
| Vce sat conditions | IC/IB = -4A / -0.1A |
| Package alternative | MPT3 / SC-62 |
| Hfe classification p | 82 to 180 |
| Hfe classification q | 120 to 270 |
| Hfe classification r | 180 to 390 |
| Тип транзистора | PNP Silicon Transistor |
Заметили ошибку в описании или параметрах?