Документация
Описание
Транзистор 2SB1386Т100Q от MIC — это кремниевый PNP-транзистор эпитаксиально-планарной структуры. Он рассчитан на максимальный ток коллектора -5 А, напряжение коллектор-эмиттер до -20 В и мощность до 2 Вт. Подходит для применения в усилителях и ключевых схемах бытовой электроники.
Технические характеристики
| Ft typ | 120MHz |
| Taping | TL |
| Макс. Tj | 150°C |
| Cob typ | 60pF |
| Макс. HFE | 390 |
| Мин. HFE | 82 |
| Icbo макс. | -0.5µA |
| Макс. IEBO | -0.5µA |
| Макс. Tstg | 150°C |
| Мин. Tstg | -55°C |
| VCBO макс. | -30V |
| Vceo макс. | -20V |
| Vebo макс. | -6V |
| Bvcbo min | -30V |
| Bvceo min | -20V |
| Bvebo min | -6V |
| Ic dc max | -5A |
| Структура | Epitaxial planar type |
| Pc 2sb1386 | 0.5W |
| Pc 2sb1412 | 2W |
| Артикул | 2SB1386T100Q |
| Макс. напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -1.0V |
| Vce sat typ | -0.35V |
| Ic pulse max | -10A |
| Код упаковки | T100 |
| Package eiaj | SC-63 |
| Package rohm | CPT3 |
| Тип компонента | PNP Silicon Transistor |
| Pc ceramic board | 10W |
| Классификация hFE | 120 to 270 |
| Test conditions ft | VCE = -6V, IE = 50mA, f = 100MHz |
| Test conditions cob | VCB = -20V, IE = 0A, f = 1MHz |
| Test conditions vce sat | IC/IB = -4A / -0.1A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?