Документация
Описание
Транзистор 2SA1695 от Sanken — кремниевый PNP эпитаксиально-планарный прибор в корпусе MT-100 (TO-3P). Работает при напряжении до -140 В, токе до -10 А и рассеивает до 100 Вт. Частота переключения достигает 20 МГц. Применяется в аудиоусилителях и устройствах общего назначения.
Технические характеристики
| Контактов | Вывод 1: B (Base); Вывод 2: E (Emitter); Вывод 3: C (Collector) |
| Корпус | MT-100 (TO-3P) |
| Применение | Audio and General Purpose |
| Тип компонента | Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor |
| Complement type | 2SC4468 |
| Темп. диапазон | -55 to +150°C |
| Размеры корпуса мм | Ширина: 15.6±0.4; Высота: 19.9±0.3; Вес г: 6.0; Диаметр штыря: ø3.2±0.1 |
| Предельные значения | Ib: -4A; Ic: -10A; Pc: 100W; Tj: 150°C; Tstg: -55 to +150°C; Vcbo: -140V; Vceo: -140V; Vebo: -6V |
| Switching characteristics | Rl: 12Ω; Tf: 0.27µs typ; Ib1: -0.5A; Ib2: 0.5A; Ton: 0.17µs typ; Vcc: -60V; Tstg: 1.86µs typ; Vbb1: -10V; Vbb2: 5V; Ic switch: -5A |
| Электрические характеристики | Ft: 20MHz typ; Cob: 400pF typ; Hfe: 50 min; Icbo: -10µA max; Iebo: -10µA max; Vce sat: -0.5V max; V br ceo: -140V min; Hfe rank o: 50 to 100; Hfe rank p: 70 to 140; Hfe rank y: 90 to 180 |
| Electrical characteristics conditions | Ft condition: VCE = -12V, IE = 0.5A; Cob condition: VCB = -10V, f = 1MHz; Hfe condition: IC = -50mA, VCE = -4V; Icbo condition: VCB = -140V; Iebo condition: VEB = -6V; Vce sat condition: IC = -5A, IB = -0.5A |