Документация
Биполярный транзистор, PNP+NPN (пара), 230 В, 15 А, 130 Вт
У поставщика
ПроизводительSanken
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
69 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:69 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 487,31 |
| от 3 | 466,24 |
| от 5 | 446,41 |
| от 9 | 431,83 |
| от 17 | 418,44 |
Описание
Комплементарная пара биполярных транзисторов PNP+NPN от Sanken. Рабочее напряжение 230 В, ток до 15 А, мощность 130 Вт. Выполнены в корпусе MT-100 (TO3P). Подходят для мощных усилителей звука и источников питания.
Технические характеристики
| Граничная частота fT | 35MHz |
| Ib | -4A |
| Ic | -15A |
| Pc | 130W |
| Tj | 150°C |
| Cob | 500pF |
| Hfe | 40 to 140 |
| Ток отсечки коллектор-база Icbo | -100µA |
| Ток отсечки эмиттер-база Iebo | -100µA |
| Tstg | -55 to 150°C |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | -230V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | -230V |
| Напряжение эмиттер-база Vebo | -5V |
| Цоколевка | 1: Base; 2: Collector; 3: Emitter; 4: Collector |
| Rth JA | 35.7°C/W |
| Rth jc | 0.96°C/W |
| Маркировка | Device code: A1294; Lot number format: YM X (Y=last digit of year, M=month 1-9/O/N/D, X=hFE rank) |
| Корпус | TO3P-3L |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | -2.0V |
| Особенности | Complementary to 2SC3263, LAPT (Linear Amplifier Power Transistor), High Transition Frequency, Bare Lead Frame: Pb-free (RoHS Compliant) |
| Тип монтажа | Выводной |
| Hfe ranks | O: 50 to 100; R: 40 to 80; Y: 70 to 140 |
| Без свинца | Да |
| Кол-во выводов | 3 |
| Размеры | Единица: mm; Ширина: 15.8 ±0.3; Высота: 9.9 ±0.3; Длина: 15.6 ±0.3; Шаг выводов: 5.45 ±0.1; Толщина вывода: 0.65 +0.2/-0.1; Толщина контакта: 1.7 +0.2/-0.3; Диаметр монтажного отверстия: 3.2 ±0.2 |
| Технология | Silicon PNP Epitaxial Planar |
| Применение | Audio Power Amplifier |
| Описание | PNP transistor -230V, -15A, LAPT (Linear Amplifier Power Transistor) |
| Артикул | 2SA1294 |
| Условия измерения граничной частоты | VCE = -12V, IE = 2A |
| Pc condition | Tc = 25°C |
| Момент затяжки винта | 0.686 N·m to 0.882 N·m (7 kgf·cm to 9 kgf·cm) |
| Cob condition | VCB = -10V, IE = 0A, f = 1MHz |
| Hfe condition | VCE = -4V, IC = -5A |
| Icbo condition | VCB = -230V, IE = 0A |
| Iebo condition | VEB = -5V, IC = 0A |
| Соотв. RoHS | Да |
| Vceo breakdown | -230V |
| Тип транзистора | PNP |
| Vce sat condition | IC = -5A, IB = -0.5A |
| Complementary part | 2SC3263 |
| Усл. пайки | Flow: 260 ± 5°C, 10 ± 1s, 2 times; Soldering iron: 380 ± 10°C, 3.5 ± 0.5s, 1 time; Min distance from body: 1.5mm |
| Примечание | комплект без подбора HFE |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Vceo breakdown condition | IC = -25mA |
| Описание (англ.) | Bipolar transistor, PNP+NPN (пAрA), 230 V, 15 A, 130 W |
| Тип | PNP + NPN (комплементарная пара) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?