Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА, 0.2Вт
У поставщика
ПроизводительSHIKUES
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
908 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:908 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 352 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,97 |
| от 284 | 1,73 |
| от 567 | 1,53 |
| от 1 133 | 1,36 |
| от 3 000 | 1,23 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от производителя SHIKUES. Работает при напряжении до 60 В и токе до 115 мА, мощность рассеивания — 0,2 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-323. Подходит для коммутации нагрузок в бытовой электронике и портативных устройствах.
Технические характеристики
| Корпус | SOT-323 Molded Plastic |
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Вес | 0.006 g |
| Корпус | SOT-323 |
| Снижение характеристик | 1.6 mW/°C |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | A:0.30-0.40mm, B:1.15-1.35mm, C:2.00-2.20mm, D:0.65mm nom, E:0.30-0.40mm, G:1.20-1.40mm, H:1.80-2.20mm, J:0.0-0.10mm, K:0.90-1.00mm, L:0.25-0.40mm, M:0.10-0.25mm |
| ESD рейтинг | 1kV (HBM) |
| Solderable | Да |
| Технология | Enhancement Mode |
| Корпус | SOT-323 |
| Gate body leakage | ±5µA |
| Рассеиваемая мощность | 200mW |
| Drain current pulsed | 800mA |
| Terminal connections | 1:Gate, 2:Source, 3:Drain |
| Мин. пробойное напр. | 60V |
| Breakdown voltage typ | 70V |
| Входная емкость макс. | 50pF |
| Тип. входная емкость | 22pF |
| Drain gate voltage max | 60V |
| Макс. выходная емкость | 25pF |
| Выходная емкость тип. | 11pF |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Drain current continuous | 115mA |
| Макс. напряжение сток-исток | 60V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.0V |
| On state drain current min | 0.5A |
| On state drain current typ | 1.0A |
| Диап. раб. темп. | -55 to +150°C |
| Switching turn on delay max | 20ns |
| Switching turn on delay typ | 7ns |
| Forward transconductance typ | 80mS |
| Switching turn off delay max | 20ns |
| Switching turn off delay typ | 11ns |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323 |
| Drain current continuous 100c | 73mA |
| Gate source voltage max pulsed | ±40V |
| Reverse transfer capacitance max | 5.0pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 2.0pF |
| Gate source voltage max continuous | ±20V |
| Zero gate voltage drain current 25c | 1µA |
| Zero gate voltage drain current 125c | 500µA |
| Термосопротивление переход-среда | 625 K/W |
| Drain source on resistance 25c vgs5v id0.05a max | 7.5Ω |
| Drain source on resistance 25c vgs5v id0.05a typ | 3.2Ω |
| Drain source on resistance 125c vgs10v id0.5a max | 13.5Ω |
| Drain source on resistance 125c vgs10v id0.5a typ | 4.4Ω |
Заметили ошибку в описании или параметрах?