Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.36A
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
21 752 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт4,97 ₽
Сумма994,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии21 752 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 200 штюрлицам и ИП
от 960 — 4,31 ₽ (−13%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 994,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 306,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
200 шт · Склад 13 · 994,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от NEXPERIA. Работает при напряжении до 60 В и токе до 0,36 А, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для применения в автомобильной электронике и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Цоколевка | 1: gate; 2: source; 3: drain |
| Корпус | SOT23 (TO-236AB) |
| Тип монтажа | SMD |
| Кол-во выводов | 3 |
| Размеры | 2.9 mm x 1.3 mm x 1 mm body, 1.9 mm pitch |
| Технология | Trench MOSFET |
| Описание | 60 V, 360 mA N-channel Trench MOSFET |
| Артикул | 2N7002P |
| Производитель | Nexperia |
| Код маркировки | LW% |
| Тип транзистора | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) |
| Fall time tf typ | 5ns |
| Rise time tr typ | 4ns |
| AEC-Q101 | Да |
| Drain current id max | 360mA |
| Power dissipation tsp | 1140mW |
| Source current is max | 360mA |
| Logic level compatible | Да |
| Peak drain current idm | 1.2A |
| Макс. темп. окр. среды | 150°C |
| Темп. окружающей среды мин. | -55°C |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -65°C |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Drain current id at 100c | 280mA |
| Заряд затвор-сток Qgd, тип. | 0.2nC |
| Power dissipation tot 25c | 350mW |
| Заряд затвор-исток Qgs, тип. | 0.2nC |
| Input capacitance ciss max | 50pF |
| Входная ёмкость Ciss, тип. | 30pF |
| Макс. напряжение затвор-исток VGS | 20V |
| Gate source voltage vgs min | -20V |
| Макс. температура перехода Tj | 150°C |
| Тип. выходная ёмкость Coss | 7pF |
| Напряжение сток-исток Vds, макс. | 60V |
| Source drain voltage vsd max | 1.1V |
| Source drain voltage vsd min | 0.47V |
| Source drain voltage vsd typ | 0.75V |
| Total gate charge qg tot max | 0.8nC |
| Total gate charge qg tot typ | 0.6nC |
| Turn on delay time td on max | 6ns |
| Turn on delay time td on typ | 3ns |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 60V 0.36A Automotive |
| Gate leakage current igss max | 100nA |
| Gate leakage current igss min | -100nA |
| Power dissipation tot 25c 1cm2 | 420mW |
| Время задержки выключения, макс. | 20ns |
| Turn off delay time td off typ | 10ns |
| Прямая крутизна, Gfs, тип. | 400mS |
| Drain leakage current idss max 25c | 1µA |
| Drain leakage current idss max 150c | 10µA |
| Обратная проходная ёмкость Crss, тип. | 4pF |
| Макс. пороговое напряжение затвор-исток Vgs(th) | 2.4V |
| Мин. пороговое напряжение затвор-исток Vgs(th) | 1.1V |
| Gate source threshold voltage vgs th typ | 1.75V |
| Drain source breakdown voltage vbr dss min | 60V |
| Drain source on resistance rds on vgs5 id50ma | 2Ω |
| Drain source on resistance rds on vgs10 id500ma | 1.6Ω |
| Drain source on resistance rds on vgs5 id50ma typ | 1.3Ω |
| Thermal resistance junction to ambient rth ja max | 370K/W |
| Thermal resistance junction to ambient rth ja typ | 310K/W |
| Drain source on resistance rds on vgs10 id500ma typ | 1Ω |
| Thermal resistance junction to ambient rth ja 1cm2 max | 300K/W |
| Thermal resistance junction to ambient rth ja 1cm2 typ | 260K/W |
| Thermal resistance junction to solder point rth jsp max | 115K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?