Транзисторы полевые 2N7002ET1G
У поставщика
У поставщиков
2 132 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:2 132 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 5,43 |
| от 721 | 4,49 |
| от 1 221 | 3,97 |
| от 2 026 | 3,56 |
| от 3 385 | 3,28 |
Описание
Транзистор полевой (MOSFET) 2N7002ET1G производства VBSEMI — это компактный N-канальный компонент, предназначенный для коммутации и управления нагрузкой в низковольтных цепях. Отличается низким сопротивлением открытого канала и малым пороговым напряжением, что обеспечивает эффективную работу в логических схемах. Применяется в портативной электронике, DC/DC-преобразователях и устройствах автоматики.
Технические характеристики
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Описание | MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 240mA, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 300mW (Tj) |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.81 nC @ 5 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 26.7 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 260mA (Ta) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?