Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.35Вт
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
720 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт6,73 ₽
Сумма673,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии720 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 145 — 6,22 ₽ (−8%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 673,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 627,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 673,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от NEXPERIA. Работает при напряжении до 60 В и рассеивает мощность 0,35 Вт, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок и управления питанием в бытовой электронике и портативных устройствах.
Технические характеристики
| Режим | enhancement mode |
| Вывод 1 | gate |
| Вывод 2 | source |
| Pin3 | drain |
| Контактов | 3 |
| Макс. ток стока | 300mA |
| Макс. ток истока | 200mA |
| Корпус | SOT23 |
| T f max | 35ns |
| Тип. время спада | 22ns |
| Температура перехода Tj, макс. | 150°C |
| T r max | 15ns |
| Тип. время нарастания | 8ns |
| Особенности | Logic-level compatible, Very fast switching, Trench MOSFET technology, ESD protection up to 3kV |
| Тип монтажа | SMD |
| Тип. заряд затвор-сток | 0.23nC |
| Тип. заряд затвор-исток, Qgs | 0.22nC |
| Макс. напряжение сток-исток | 60V |
| Макс. напряжение затвор-исток | -20V |
| Напряжение насыщения VSD, макс. | 1.1V |
| Напряжение насыщения тип. | 0.47V |
| C iss max | 55pF |
| Входная ёмкость, тип. | 47.2pF |
| C oss max | 20pF |
| Выходная ёмкость, тип. | 11pF |
| C rss max | 7.5pF |
| Проходная ёмкость, тип. | 5pF |
| Пиковый ток стока | 1.2A |
| I sm peak | 1.2A |
| Макс. общая рассеиваемая мощность | 350mW |
| Макс. температура окружающей среды | +150°C |
| Мин. температура окружающей среды | -55°C |
| Макс. температура хранения | +150°C |
| Мин. температура хранения | -65°C |
| T d on max | 15ns |
| Тип. время включения | 8ns |
| Технология | TrenchMOSFET |
| Описание | 60 V, 0.3 A N-channel Trench MOSFET |
| Артикул | 2N7002CK |
| Q g tot max | 1.3nC |
| Q g tot typ | 1.09nC |
| T d off max | 50ns |
| Тип. время выключения | 38ns |
| Макс. пороговое напряжение затвор-исток | 2.5V |
| Мин. пороговое напряжение затвор-исток | 1V |
| Пороговое напряжение V(GS), тип. | 1.75V |
| Применение | Relay driver, High-speed line driver, Low-side loadswitch, Switching circuits |
| Тип канала | N-канальный |
| Макс. ток стока, 100 °C | 190mA |
| Производитель | Nexperia |
| Код маркировки | LP* |
| R th j a max | 500K/W |
| R th j a typ | 350K/W |
| Макс. IDSS при 25 °C | 100nA |
| R th j sp max | 150K/W |
| Защита от ЭСР | 3kV |
| Макс. ток IDSS, 150 °C | 1mA |
| I gss max vgs5v | 100nA |
| Версия корпуса | TO-236AB |
| I gss max vgs10v | 450nA |
| I gss max vgs20v | 5mA |
| I gss typ vgs10v | 50nA |
| V br dss min 25c | 60V |
| V br dss min neg55c | 55V |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| R dson vgs10v id500ma max | 1.6Ω |
| R dson vgs10v id500ma typ | 1.1Ω |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH SGL 60V SOT-23 |
| R dson vgs4 5v id200ma max 25c | 3Ω |
| R dson vgs4 5v id200ma typ 25c | 1.3Ω |
| R dson vgs4 5v id200ma max 150c | 4.4Ω |
| R dson vgs4 5v id200ma typ 150c | 2.8Ω |
Заметили ошибку в описании или параметрах?