Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 350мА, 0.83Вт
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
16 628 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт6,98 ₽
Сумма698,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии16 628 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 457 — 6,07 ₽ (−13%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 698,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 602,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 698,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от NEXPERIA. Работает при напряжении до 60 В и токе до 350 мА, мощность рассеивания составляет 0,83 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | N-channel Enhancement mode MOSFET |
| Корпус | SOT23 (TO-236AB) |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 7ns typ |
| Время нарастания | 6ns typ |
| Технология | TrenchMOSFET |
| Код маркировки | LN* |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Вх. емкость | 33pF typ, 50pF max |
| Пороговое напряжение | 1.1V to 2.1V (typ 1.6V) |
| Полный заряд затвора | 0.5nC typ, 0.6nC max |
| Drain current peak | 1.2A |
| Выходная емкость | 7pF typ |
| Время задержки включения | 5ns typ, 10ns max |
| Время задержки выключения | 12ns typ, 24ns max |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Непрерывный ток стока | 350mA |
| Макс. напряжение сток-исток | 60V |
| Power dissipation tsp 25C | 1.2W |
| Диап. темп. хр. | -65°C to +150°C |
| On state resistance vgs 5V | 2Ω max |
| ESD по модели человеческого тела | 2kV |
| On state resistance vgs 10V | 1.6Ω max |
| Диап. раб. темп. | -55°C to +150°C |
| Обратная проходная емкость | 4pF typ |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 60V 350MA SOT23, 0.83W |
| Source drain diode forward voltage | 0.47V typ, 1.1V max |
| Power dissipation tamb 25C 1cm2 pad | 440mW |
| Тепловое сопротивление переход-пайка | 105 K/W |
| Power dissipation tamb 25C standard footprint | 370mW |
| Thermal resistance junction to ambient 1cm2 pad | 250 K/W typ, 285 K/W max |
| Thermal resistance junction to ambient standard footprint | 295 K/W typ, 340 K/W max |
Заметили ошибку в описании или параметрах?