Документация
Транзистор полевой 2N7002-TP
У поставщика
У поставщиков
17 463 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:17 218 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 404 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,71 |
| от 939 | 1,37 |
| от 1 877 | 1,08 |
| от 6 000 | 0,89 |
| от 9 000 | 0,78 |
Склад 39
В наличии:245 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,49 |
| от 1 569 | 2,01 |
| от 2 549 | 1,75 |
| от 4 248 | 1,54 |
| от 7 124 | 1,39 |
Описание
Транзистор полевой 2N7002-TP от Micro Commercial Components (MCC) представляет собой N-канальный MOSFET в миниатюрном корпусе для поверхностного монтажа. Компонент предназначен для коммутации сигналов низкого напряжения и управления нагрузкой в цепях постоянного тока. Отличается низким пороговым напряжением и высокой скоростью переключения, что делает его пригодным для использования в портативной электронике и логических схемах.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel MOSFET |
| Маркировка | 7002/S72 |
| Корпус | SOT-23 |
| Особенности | Halogen free available upon request (suffix -HF), High Input Impedance, High Speed Switching, CMOS Logic Compatible Input |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | A mm: 2.80-3.04; B mm: 2.10-2.64; Емкость, мм: 1.20-1.40; Диаметр d: 0.89-1.03; E mm: 1.78-2.05; F mm: 0.45-0.60; G mm: 0.013-0.100; H mm: 0.89-1.12; J mm: 0.085-0.180; K mm: 0.37-0.51 |
| Технология | Advanced Trench Process |
| Артикул | 2N7002-TP |
| Корпус | SOT-23 |
| Макс. время включения | 20ns (Vdd=30V, Vgs=10V, Rg=150Ω, Id=200mA, RL=25Ω) |
| Рассеиваемая мощность | 200mW |
| Макс. время выключения | 20ns (Vdd=30V, Vgs=10V, Rg=150Ω, Id=200mA, RL=25Ω) |
| Класс горючести | UL 94 V-0 |
| Входная емкость макс. | 50pF (Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz) |
| Макс. выходная емкость | 25pF (Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz) |
| Drain source on voltage | max 3.75V (Vgs=10V, Id=500mA); max 1.5V (Vgs=5V, Id=50mA) |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Drain current continuous | 115mA |
| Макс. напряжение сток-исток | 60V |
| Diode forward current max | 115mA |
| Напр. диода макс. | 1.5V (Vgs=0V, Is=115mA) |
| Gate body leakage current | ±100nA (Vgs=±20V) |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Drain source on resistance | typ 1.2Ω, max 7.5Ω (Vgs=10V, Id=500mA); typ 1.7Ω, max 7.5Ω (Vgs=5V, Id=50mA) |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.0V |
| Уровень чувствительности к влаге | 1 |
| On state drain current min | 500mA (Vds=7.5V, Vgs=10V) |
| On state drain current typ | 2700mA (Vds=7.5V, Vgs=10V) |
| Forward transconductance min | 80ms (Vds=10V, Id=200mA) |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-23 T/R |
| Zero gate voltage drain current | 1μA (Vds=60V, Vgs=0V) |
| Reverse transfer capacitance max | 5pF (Vds=25V, Vgs=0V, f=1MHz) |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 625°C/W |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to +150°C |
| Zero gate voltage drain current at 125c | 500μA (Vds=60V, Vgs=0V, Tj=125°C) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?