Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 115мА, 0.3Вт
У поставщика
ПроизводительSHIKUES
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
1 493 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 493 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 326 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,13 |
| от 434 | 1,83 |
| от 867 | 1,61 |
| от 1 733 | 1,44 |
| от 3 000 | 1,32 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от SHIKUES. Работает при напряжении до 60 В, токе до 115 мА и мощности 0,3 Вт. Выполнен в компактном корпусе SOT23-3. Подходит для коммутации нагрузок в бытовой электронике и портативных устройствах.
Технические характеристики
| Тип | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Особенности | Surface-mounted package, Extremely low threshold voltage, Advanced trench cell design, ESD protected >2KV |
| Тип монтажа | SMD |
| Кол-во выводов | 3 |
| ESD рейтинг | >2kV (HBM) |
| Артикул | 2N7002 |
| Применение | Portable appliances |
| Drain current pulsed | 430mA |
| Макс. рассеиваемая мощность | 0.83W |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Drain current continuous | 115mA |
| Drain source on resistance | Value: 3Ω; Condition: VGS = 10V, Value: 4Ω; Condition: VGS = 4.5V |
| Power dissipation condition | Surface mounted on 1 in2 pad area, t ≤ 10 sec |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23, 0.3W |
| Drain source voltage breakdown min | 60V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?