+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В

Транзисторы и сборки MOSFET 2N7002

Артикул:316536
У поставщика
ПроизводительDC
У поставщиков
44 249 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
200 шт · Склад 39 · 662,00 ₽
Описание

N-канальный MOSFET-транзистор 2N7002 от производителя DC в компактном SMD-корпусе SOT-23. Выдерживает напряжение сток-исток до 60 В и постоянный ток до 280 мА, максимальная рассеиваемая мощность — 350 мВт. Отличается низким пороговым напряжением открытия и подходит для управления логическими уровнями. Применяется в промышленной автоматике, бытовой электронике и схемах коммутации сигналов.

Технические характеристики
Тип FETN-канальный
Vgs (Макс.)±30V
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Тип монтажаповерхностный монтаж
КорпусTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ОписаниеMOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
Пороговое напряжение Vgs (Макс.) при Id2.5V @ 250µA
Рабочая температура150°C (TJ)
Сопротивление Rds вкл. (Макс.) при Id, Vgs5Ohm @ 500mA, 10V
Рассеиваемая мощность (Макс.)350mW (Ta)
Корпус по производителюSOT-23 (TO-236)
Напряжение сток-исток (Vdss)60 V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) при Vds50 pF @ 25 V
Напряжение управления (Макс. Rds вкл., Мин. Rds вкл.)5V, 10V
Непрерывный ток стока (Id) при 25 °C280mA (Ta)
ТипMOSFET

Заметили ошибку в описании или параметрах?