Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 300мА, 0.83Вт
У поставщика
ПроизводительNEXPERIA
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
102 355 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт2,75 ₽
Сумма825,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии102 355 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 300 штюрлицам и ИП
от 1 582 — 2,30 ₽ (−16%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 825,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 475,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
300 шт · Склад 13 · 825,00 ₽
Описание
Полевой N-канальный MOSFET-транзистор от NEXPERIA. Выдерживает напряжение до 60 В и ток до 300 мА при мощности 0,83 Вт, выпускается в компактном корпусе SOT-23. Подходит для коммутации нагрузок в бытовой электронике и портативных устройствах.
Технические характеристики
| Ширина | 1.4mm |
| Высота | 1.1mm |
| Длина | 3.0mm |
| Корпус | SOT23 (TO-236AB) |
| Особенности | Suitable for logic level gate drive sources, Surface-mounted package, Trench MOSFET technology, Very fast switching |
| Тип монтажа | SMD |
| Кол-во выводов | 3 |
| Технология | Trench MOSFET |
| Описание | 60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET |
| Артикул | 2N7002 |
| Применение | Logic level translators, High-speed line drivers |
| Производитель | Nexperia |
| Тип транзистора | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) |
| Макс. время включения | 10ns |
| Время включения тип. | 2.5ns |
| Конфиг. выводов | 1: Gate, 2: Source, 3: Drain |
| Макс. время выключения | 15ns |
| Время выкл. тип. | 11ns |
| Source current max | 300mA |
| Recovered charge typ | 30nC |
| Входная емкость макс. | 50pF |
| Тип. входная емкость | 31pF |
| Напряжение сток-затвор макс. | 60V |
| Макс. выходная емкость | 30pF |
| Выходная емкость тип. | 6.8pF |
| Напряжение затвор-исток макс. | 30V |
| Gate source voltage min | -30V |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -65°C |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Drain current pulsed max | 1.2A |
| Макс. напряжение сток-исток | 60V |
| Макс. ток утечки затвора | 100nA |
| Gate leakage current typ | 10nA |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Темп. перехода мин. | -65°C |
| Source drain voltage max | 1.5V |
| Source drain voltage typ | 0.85V |
| Макс. ток утечки стока | 1µA |
| Drain leakage current typ | 0.01µA |
| Тип. время восст. | 30ns |
| Source current pulsed max | 1.2A |
| Макс. общая рассеиваемая мощность | 0.83W |
| Drain current continuous max | 300mA |
| Peak gate source voltage max | 40V |
| Peak gate source voltage min | -40V |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 |
| Макс. ток утечки стока при 150 °C | 10µA |
| Макс. Rси вкл. | 5Ω |
| Тип. сопротивление сток-исток | 2.8Ω |
| Макс. проходная ёмкость | 10pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 3.5pF |
| Drain current continuous 100c max | 190mA |
| Пороговое напряжение затвор-исток, макс. | 2.5V |
| Пороговое напряжение затвор-исток, мин. | 1V |
| Gate source threshold voltage typ | 2V |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | 60V |
| Drain source on resistance 4v5 max | 5.3Ω |
| Drain source on resistance 4v5 typ | 3.8Ω |
| Drain source on resistance 150c max | 9.25Ω |
| Gate source threshold voltage 150c min | 0.6V |
| Тепловое сопротивление переход-среда, макс. | 350K/W |
| Gate source threshold voltage minus55c max | 2.75V |
| Drain source breakdown voltage minus55c min | 55V |
| Thermal resistance junction solder point max | 150K/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?