Документация
Транзистор 2N7002.215
У поставщика
У поставщиков
60 шт.
шт
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 2срок до 2 недель
Цена за шт1,91 ₽
Сумма114,60 ₽
В наличии60 шт
от 60 штюрлицам и ИП
60 шт · Склад 2 · 114,60 ₽
Описание
Транзистор 2N7002.215 от NEX-NXP — это N-канальный MOSFET с напряжением сток-исток до 60 В. Компонент рассчитан на постоянный ток 300 мА и импульсный до 1,2 А, рассеивает до 0,83 Вт и выпускается в миниатюрном корпусе SOT23 для поверхностного монтажа. Благодаря быстрому переключению (включение за 2,5 нс) подходит для цепей управления нагрузкой и DC/DC-преобразователей в бытовой и промышленной электронике.
Технические характеристики
| Тип | N-channel enhancement mode MOSFET |
| Пиковый ток стока | 1.2A |
| Корпус | SOT23 (TO-236AB) |
| Макс. Vds | 60V |
| Макс. Vgs | ±30V |
| Тип монтажа | SMD |
| Пиковое напряжение VGS | ±40V |
| Технология | Trench MOSFET |
| Vgs порог макс. | 2.5V |
| Vgs порог мин. | 1V |
| Vgs(th) тип. | 2V |
| Артикул | 2N7002.215 |
| Код маркировки | 12% |
| Время включения | 2.5ns |
| Id непрерывный | 300mA |
| Время выключения | 11ns |
| Пороговое напряжение VGS при низкой температуре | 2.75V (at -55°C) |
| Восстановленный заряд | 30nC |
| Пороговое напряжение VGS при высокой температуре | 0.6V (at 150°C) |
| Рассеиваемая мощность | 0.83W |
| RDS(on) макс. при VGS 10 В | 5Ω |
| Тип. Rds(on) при Vgs 10 В | 2.8Ω |
| Размеры упаковки | Width E: 1.4mm max; Height A: 1.1mm max; Length D: 3.0mm max; Lead pitch e: 1.9mm; Lead span HE: 2.5mm max; Lead width bp: 0.48mm max |
| RDS(on) при VGS 4,5 В, макс. | 5.3Ω |
| RDS(on) при VGS 4,5 В, тип. | 3.8Ω |
| Время обратного восстановления | 30ns |
| Входная емкость Ciss | 31pF |
| Выходная емкость Coss | 6.8pF |
| Диап. темп. хр. | -65°C to 150°C |
| Диапазон темп. перехода | -65°C to 150°C |
| Напряжение диода исток-сток | 0.85V (at 300mA, typ) |
| Обр. проходная емкость Crss | 3.5pF |
| Термосопротивление переход-среда | 350K/W |
| Тепловое сопротивление переход-пайка | 150K/W |
| Мощность, Вт | 0,83 |
| Тип транзистора | N-channel enhancement mode MOSFET |
Заметили ошибку в описании или параметрах?