Документация
Транзистор 2N7002.215
У поставщика
У поставщиков
60 шт.
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 100 | 2,29 |
| от 200 | 2,20 |
| от 400 | 2,14 |
| от 1 000 | 2,11 |
Цены поставщиков
РадиоЧип
В наличии:60 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 100 | 2,29 |
| от 200 | 2,20 |
| от 400 | 2,14 |
| от 1 000 | 2,11 |
Описание
Транзистор 2N7002.215 от NEX-NXP — это N-канальный MOSFET с напряжением сток-исток до 60 В. Компонент рассчитан на постоянный ток 300 мА и импульсный до 1,2 А, рассеивает до 0,83 Вт и выпускается в миниатюрном корпусе SOT23 для поверхностного монтажа. Благодаря быстрому переключению (включение за 2,5 нс) подходит для цепей управления нагрузкой и DC/DC-преобразователей в бытовой и промышленной электронике.
Технические характеристики
| Тип | N-channel enhancement mode MOSFET |
| Id peak | 1.2A |
| Корпус | SOT23 (TO-236AB) |
| Макс. Vds | 60V |
| Макс. Vgs | ±30V |
| Тип монтажа | SMD |
| Vgs peak | ±40V |
| Технология | Trench MOSFET |
| Vgs порог макс. | 2.5V |
| Vgs порог мин. | 1V |
| Vgs(th) тип. | 2V |
| Артикул | 2N7002.215 |
| Код маркировки | 12% |
| Время включения | 2.5ns |
| Id непрерывный | 300mA |
| Время выключения | 11ns |
| Vgs th low temp | 2.75V (at -55°C) |
| Recovered charge | 30nC |
| Vgs th high temp | 0.6V (at 150°C) |
| Рассеиваемая мощность | 0.83W |
| Rds on max vgs10v | 5Ω |
| Rds on typ vgs10v | 2.8Ω |
| Размеры упаковки | { "width_E": "1.4mm max", "height_A": "1.1mm max", "length_D": "3.0mm max", "lead_pitch_e": "1.9mm", "lead_span_HE": "2.5mm max", "lead_width_bp": "0.48mm max" } |
| Rds on max vgs4.5v | 5.3Ω |
| Rds on typ vgs4.5v | 3.8Ω |
| Время обратного восстановления | 30ns |
| Входная емкость Ciss | 31pF |
| Выходная емкость Coss | 6.8pF |
| Диап. темп. хр. | -65°C to 150°C |
| Диапазон темп. перехода | -65°C to 150°C |
| Source drain diode voltage | 0.85V (at 300mA, typ) |
| Обр. проходная емкость Crss | 3.5pF |
| Термосопротивление переход-среда | 350K/W |
| Тепловое сопротивление переход-пайка | 150K/W |