Документация
2N5551 (MMBT5551) SOT-23 транзистор биполярный ZH (арт. 009155)
У поставщика
ПроизводительChina
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
11 970 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:11 970 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 1,22 |
Описание
Транзистор биполярный 2N5551 (MMBT5551) в корпусе SOT-23 от производителя ZH (China). Предназначен для использования в цепях усиления и коммутации сигналов, подходит для поверхностного монтажа. Отличается высокой скоростью переключения и способностью работать при повышенных напряжениях.
Технические характеристики
| Тип | NPN bipolar transistor |
| Макс. ток коллектора | 600mA |
| Ток | 0.6 А |
| Корпус | SOT-23 |
| Vcb max | 160V |
| Vce max | 180V |
| Veb max | 6V |
| Icbo макс. | 50nA |
| Макс. IEBO | 50nA |
| Тип монтажа | SMD |
| Hfe min 1mA | 80 |
| Hfe min 50mA | 30 |
| Коэффициент шума | 8.0dB |
| Vbe sat 10mA | 1.0V |
| Vbe sat 50mA | 1.0V |
| Vce sat 10mA | 0.15V |
| Vce sat 50mA | 0.2V |
| Корпус | SOT-23 |
| Монтаж | SMD |
| Icbo max 100c | 50µA |
| Hfe range 10mA | 80-250 |
| Рассеиваемая мощность | 0.350W |
| Vcb breakdown min | 180V |
| Vce breakdown min | 160V |
| Veb breakdown min | 6V |
| Напряжение | 160 В |
| Collector capacitance | 6pF |
| Temperature junction max | 150°C |
| Макс. частота перехода | 300MHz |
| Мин. частота перехода | 100MHz |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 357°C/W |