Транзистор биполярный (BJTs) 2N5551
У поставщика
У поставщиков
2 535 шт.
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 300 | 0,97 |
| от 800 | 0,91 |
| от 2 000 | 0,88 |
| от 4 000 | 0,87 |
Цены поставщиков
РадиоЧип
В наличии:2 521 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 300 | 0,97 |
| от 800 | 0,91 |
| от 2 000 | 0,88 |
| от 4 000 | 0,87 |
Склад 7
В наличии:14 шт
Цена по запросуОписание
Биполярный NPN-транзистор 2N5551 от MERRYELC в миниатюрном SMD-корпусе SOT-23. Выдерживает ток коллектора до 600 мА и напряжение до 180 В, мощность рассеивания — 300 мВт. Подходит для высоковольтных ключей и усилителей в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | NPN |
| Маркировка | G1 |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Коэффициент шума | 8 dB |
| Ток коллектора | 600mA |
| Вх. емкость | 20 pF |
| Рассеиваемая мощность | 300mW |
| Complementary part | MMBT5401 |
| Класс горючести | UL 94V-0 |
| Темп. хранения | -55-150 ℃ |
| Hfe1 | 80 |
| Коэффициент усиления DC hFE3 | 30 |
| Напряжение эмиттер-база | 6V |
| Темп. перехода | 150°C |
| Частота перехода | 100-300MHz |
| Напряжение коллектор-база | 180V |
| Ток отсечки эмиттера | 50nA |
| Ток отсечки коллектора | 50nA |
| Dc current gain hfe1 min | 80 |
| Dc current gain hfe2 max | 300 |
| Dc current gain hfe2 min | 100 |
| Dc current gain hfe3 min | 30 |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 6V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Макс. частота перехода | 300MHz |
| Мин. частота перехода | 100MHz |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 160V |
| Hfe classification rank h | 200-300 |
| Hfe classification rank l | 100-200 |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | 180V |
| Dc current gain hfe2 range | 100-300 |
| Непрерывный ток коллектора | 600mA |
| Выходная емкость коллектора | 6pF |
| Макс. напр. К-Э | 160V |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 6V |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 180V |
| Напряжение насыщения база-эмиттер 1 | 1.00V |
| Напряжение насыщения база-эмиттер 2 | 1.00V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 160V |
| Напряжение насыщения КЭ 1 | 0.15V |
| Напряжение насыщения КЭ 2 | 0.20V |
| Термосопротивление переход-среда | 416°C/W |