Транзистор биполярный (BJTs) 2N5401
В наличии
На своём складе
50 шт.
Норм. уп.: 3000
У поставщиков
2 450 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 300 | 0,80 |
| от 800 | 0,75 |
| от 2 000 | 0,73 |
| от 4 000 | 0,72 |
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:2 450 шт
Срок поставки: до 2 недель
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 300 | 0,80 |
| от 800 | 0,75 |
| от 2 000 | 0,73 |
| от 4 000 | 0,72 |
Описание
Биполярный PNP-транзистор 2N5401 от MERRYELC. Выполнен в миниатюрном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа, рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер до -150 В и постоянный ток коллектора до -600 мА. Подходит для применения в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Маркировка | 2L |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Название компонента | MMBT5401 |
| Тип компонента | PNP Transistor |
| Предельные значения | Vcbo: -160V; Vceo: -150V; Vebo: -5V; Ic continuous: -600mA; Pc dissipation: 300mW; Tj junction temp: 150°C; Tstg storage temp: -55 to +150°C; Rthja thermal resistance: 416°C/W |
| Ток коллектора | -0.6 A |
| Рассеиваемая мощность | 625 мВт |
| Темп. диапазон | Storage max: +150°C; Storage min: -55°C; Operating max: +150°C; Operating min: -55°C |
| Классификация hFE | Rank h range: 200-300; Rank l range: 100-200 |
| Тепловое сопротивление | 200 °C/W |
| Класс горючести | UL 94V-0 |
| Физические размеры | Кол-во выводов: 3; Pin names: BASE, EMITTER, COLLECTOR; Тип упаковки: SOT-23 |
| Complementary device | MMBT5551 |
| Напряжение эмиттер-база | -5 В |
| Частота перехода | 100 МГц |
| Напряжение коллектор-база | -160 В |
| Напряжение коллектор-эмиттер | -150 В |
| Электрические характеристики | Vbe sat1: -1.00V; Vbe sat2: -1.00V; Vce sat1: -0.2V; Vce sat2: -0.5V; Ft transition frequency: 100MHz; Hfe1 dc current gain 1ma: 80; Vbrcbo breakdown voltage: -160V; Vbrceo breakdown voltage: -150V; Vbreob breakdown voltage: -5V; Hfe3 dc current gain 50ma: 30; Iebo emitter cutoff current: -100nA; Hfe2 dc current gain 10ma max: 300; Hfe2 dc current gain 10ma min: 100; Icbo collector cutoff current: -100nA |
| Диапазон темп. перехода | -55~+150 °C |