Документация
Транзистор 2N2222A TO-92
В наличии
На своём складе
1 100 шт.
Норм. уп.: 1000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Москванаш складотгрузка сразу
Цена за шт0,90 ₽
Сумма270,00 ₽
В наличии1 100 шт
от 300 шт
от 800 — 0,84 ₽ (−7%)
300 шт · Москва · 270,00 ₽
Описание
Биполярный транзистор 2N2222A от KEEN SIDE в корпусе TO-92 для монтажа в отверстия. Выдерживает напряжение коллектор-эмиттер до 40 В, отличается высоким быстродействием с временем нарастания 25 нс. Подходит для ключевых схем, усилителей и коммутации в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | TO-92 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Время спада | 60ns |
| Время нарастания | 25ns |
| Время задержки | 10ns |
| Длина вывода | 14.1mm to 14.5mm |
| Время хранения | 225ns |
| Диаметр вывода | 0.38mm to 0.55mm |
| Маркировка корпуса | 2N2222A |
| Конфиг. выводов | 1: эмиттер, 2: база, 3: коллектор |
| Ширина корпуса | 4.3mm to 4.7mm |
| Высота корпуса | 3.3mm to 3.7mm |
| Длина корпуса | 4.4mm to 4.7mm |
| Ток отсечки эмиттера | 100nA |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 6V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Ёмкость коллектор-база | 8пФ (типично) |
| Напряжение коллектор-база макс. | 75V |
| Макс. напр. К-Э | 40V |
| Тип. входная ёмкость Cib | 25пФ (из графика) |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 6V |
| Тип. выходная ёмкость Cob | 8пФ (из графика) |
| Макс. Pк | 625mW |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 75V |
| Макс. пост. ток коллектора | 0.6A |
| Комплементарный PNP-тип | 2N2907A |
| Ток отсечки коллектора (Vcb=60В) | 10nA |
| Ток отсечки коллектора (Vce=60В) | 10nA |
| Коэффициент усиления по току hFE при VCE 10 В, IC 0.1 мА | 40 |
| Коэфф. усиления hFE (Vce=10В, Ic=150мА) | 100 to 300 |
| Коэфф. усиления hFE (Vce=10В, Ic=500мА) | 42 |
| Частота перехода (Vce=20В, Ic=20мА) | 300MHz |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 40V |
| Раб. диапазон темп. перехода | -55°C to +150°C |
| Термосопротивление переход-среда | 200°C/W |
| Напряжение насыщения база-эмиттер (Ic=500мА, Ib=50мА) | 1.2V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ic=150мА, Ib=15мА) | 0.3V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ic=500мА, Ib=50мА) | 0.6V |
| Граничная частота, МГц | 300 |
| Макс. температура перехода, °C | 150 |
| Макс. температура хранения, °C | 150 |
| Макс. HFE | 300 |
| Мин. температура хранения, °C | -55 |
| Мин. HFE | 100 |
| Мощность, Вт | 0,625 |
| Напряжение насыщения КЭ, В | 0,6 |
| Напряжение, В | 40 |
| Тип транзистора | NPN |
| Ток измерения hFE, мА | 150 |
| Ток, А | 0,6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?