Документация
Транзистор 2N2222A SOT-23
В наличии
На своём складе
7 600 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 300 | 0,76 |
| от 800 | 0,71 |
| от 2 000 | 0,69 |
| от 4 000 | 0,68 |
Описание
Биполярный NPN-транзистор 2N2222A от KEEN SIDE в компактном SMD-корпусе SOT-23. Выдерживает ток коллектора до 600 мА и напряжение коллектор-эмиттер 40 В при рассеиваемой мощности 300 мВт. Отличается высокой граничной частотой до 300 МГц и быстрым переключением. Подходит для коммутации нагрузки, усилительных каскадов и схем управления в бытовой и промышленной электронике.
Технические характеристики
| Тип | NPN |
| Маркировка | 1 |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 60ns |
| Время нарастания | 25ns |
| Время задержки | 10ns |
| Время хранения | 225ns |
| Ток коллектора | 600mA |
| Комплементарный PNP | 2N2907A |
| Рассеиваемая мощность | 300mW |
| Размеры упаковки | Шаг: 0.95mm; E1 max: 2.0mm; E1 min: 1.8mm; Width max: 1.4mm; Width min: 1.2mm; Макс. высота: 1.15mm; Height min: 0.9mm; Макс. длина: 3.0mm; Мин. длина: 2.8mm |
| Напряжение эмиттер-база | 6V |
| Темп. перехода | 150°C |
| Напряжение коллектор-база | 75V |
| Ток отсечки эмиттера | 0.1µA |
| Ток отсечки коллектора | 0.01µA |
| Мин. частота перехода | 100MHz |
| Transition frequency typ | 300MHz |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 40V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Dc current gain hFE at 0.1mA | 40 |
| Dc current gain hFE at 150mA | 100-300 |
| Dc current gain hFE at 500mA | 42 |
| Напряжение пробоя эмиттер-база | 6V |
| Напряжение пробоя коллектор-база | 75V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 40V |
| Термосопротивление переход-среда | 417°C/W |
| Base emitter saturation voltage at 150mA | 1.2V |
| Base emitter saturation voltage at 500mA | 2V |
| Collector emitter saturation voltage at 150mA | 0.3V |
| Collector emitter saturation voltage at 500mA | 1V |
| Граничная частота, МГц | 300 |
| Макс. температура перехода, °C | 150 |
| Макс. температура хранения, °C | 150 |
| Макс. HFE | 300 |
| Мин. температура хранения, °C | -55 |
| Мин. HFE | 100 |
| Мощность, Вт | 0,3 |
| Напряжение насыщения КЭ, В | 1 |
| Напряжение, В | 40 |
| Тип транзистора | NPN |
| Ток измерения hFE, мА | 150 |
| Ток, А | 0,6 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?