Документация
2Д 522Б (90-92 г.)
У поставщика
ПроизводительЦветотрон
У поставщиков
190 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:190 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 100 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 62,10 |
| от 10 | 52,79 |
| от 100 | 44,85 |
Описание
Кремниевый эпитаксиально-планарный импульсный диод 2Д 522Б производства «Цветотрон». Выдерживает постоянное обратное напряжение до 50 В, прямое напряжение не более 1,1 В при токе 100 мА, время обратного восстановления — до 4 нс. Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами для монтажа в отверстия. Применяется в импульсных цепях промышленной автоматики и бытовой электроники.
Технические характеристики
| Масса | 0.15g |
| Тип | silicon epitaxial-planar pulse diode |
| Маркировка | one black ring on anode side |
| Корпус | glass case with flexible leads |
| Тип монтажа | THT |
| Прямое напряжение | 1.1V max at 100mA (25°C, 125°C); 1.5V max at -60°C; typical 0.95V at 25°C |
| Lead pull force | 4.9N max |
| Обратный ток | 5µA max at -60°C and 25°C; typical 0.1µA at 25°C; 100µA max at 125°C |
| Switching charge | 400pC max at If=50mA, Vr=10V; typical 175pC |
| Общая емкость | 4pF max at 0V; typical 2.2pF |
| Soldering distance | 5mm min from body |
| Lead bending radius | 1.5mm min |
| Темп. перехода | 150°C |
| Lead bending distance | 3mm min from body |
| Время обратного восстановления | 4ns max at If=5mA, Vr=10V, If=2mA |
| Температура пайки | 250°C max for 3s |
| Constant reverse voltage | 50V |
| Диапазон темп. окр. | -60 to +125°C |
| Pulse reverse voltage 2us | 75V |
| Pulse reverse voltage 10us | 60V |
| Peak forward current low temp | 1500mA at -60..+50°C, pulse <=10µs |
| Peak forward current high temp | 500mA at +125°C, pulse <=10µs |
| Average forward current low temp | 100mA at -60..+50°C |
| Average forward current high temp | 50mA at +125°C |
| Case temperature during soldering | 150°C max |
Заметили ошибку в описании или параметрах?