Документация
Энергонезависимое ППЗУ 64К-бит 10МГц 8DIP
У поставщика
ПроизводительMicrochip
КатегорияМикросхемы памяти
У поставщиков
124 шт.
Норм. уп.: 60
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:124 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 60
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 190,96 |
| от 13 | 178,65 |
| от 26 | 168,61 |
| от 60 | 161,14 |
| от 120 | 155,57 |
Описание
Микросхема энергонезависимой памяти EEPROM от Microchip. Объём 64 Кбит, работает на частоте до 10 МГц, выпускается в корпусе DIP-8. Подходит для хранения настроек и калибровочных данных в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | 8-lead PDIP |
| Hold pin | Да |
| Тип монтажа | Выводной |
| Endurance | 1000000 erase/write cycles |
| Max clock | 10 MHz |
| Page size | 32 Byte |
| Ресурс | 1,000,000 erase/write cycles |
| Размер страницы | 32 Byte |
| Vcc range | 2.5-5.5V |
| Описание | 64K SPI Bus Serial EEPROM |
| Объем памяти | 64 kbit |
| Артикул | 25LC640A-I/P |
| Organization | 8192 x 8-bit |
| Read current | 5 mA |
| Cs hold time | 100 ns at 4.5-5.5V |
| Организация | 8192 x 8-bit |
| Read current | 5 mA at 5.5V, 10 MHz |
| Cs setup time | 50 ns at 4.5-5.5V |
| Data retention | > 200 years |
| Esd protection | > 4000V |
| Clock low time | 50 ns at 4.5-5.5V |
| Data hold time | 20 ns at 4.5-5.5V |
| Сохранение данных | > 200 years |
| Защита от ЭСР | > 4000V |
| Hold hold time | 20 ns at 4.5-5.5V |
| Spi compatible | Да |
| Standby current | 1 µA |
| Clock high time | 50 ns at 4.5-5.5V |
| Data setup time | 10 ns at 4.5-5.5V |
| Hold setup time | 20 ns at 4.5-5.5V |
| Sequential read | Да |
| Ток в режиме ожидания | 1 µA at 5.5V |
| Write cycle time | 5 ms |
| Read current max | 5 mA |
| Write cycle time | 5 ms max |
| Max write current | 5 mA |
| Max write current | 5 mA at 5.5V, 10 MHz |
| Темп. диапазон | -40°C to +85°C |
| Write current max | 5 mA |
| Макс. напр. пит. | 5.5V |
| Мин. напр. пит. | 2.5V |
| Макс. тактовая частота | 10 MHz |
| Макс. такт. частота | 10 MHz |
| Output disable time | 40 ns at 4.5-5.5V |
| Макс. ток дежурного режима | 1 µA |
| Internal capacitance | 7 pF |
| Напряжение, В | 2,5 |
| Вх. ток утечки | ±1 µA |
| Block write protection | none, 1/4, 1/2 or all of array |
| Esd protection voltage | 4kV |
| Ток утечки вых. | ±1 µA |
| Макс. темп. хр. | +150°C |
| Мин. темп. хр. | -65°C |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Low level output voltage | 0.4V at IOL=2.1mA |
| Built in write protection | Power-on/off data protection circuitry, Write enable latch, Write-protect pin |
| High level output voltage | VCC-0.5V at IOH=-400µA |
| Hold high to output valid | 30 ns at 4.5-5.5V |
| Hold low to output high z | 30 ns at 4.5-5.5V |
| Макс. раб. темп. | +85°C |
| Мин. раб. темп. | -40°C |
| Макс. входное низкое напряжение | 0.3 VCC (VCC≥2.7V), 0.2 VCC (VCC<2.7V) |
| Output valid from clock low | 50 ns at 4.5-5.5V |
| Мин. Uвх высокого уровня | 0.7 VCC |
| Описание (англ.) | EEPROM 64KBIT 10MHZ 8DIP |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?