Документация
Энергонезависимое ППЗУ 1М-бит 20МГц 8SOIJ
У поставщика
ПроизводительMicrochip
КатегорияМикросхемы памяти
У поставщиков
56 шт.
Норм. уп.: 2100
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:56 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2100
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 305,26 |
| от 5 | 301,39 |
| от 10 | 296,54 |
| от 19 | 290,04 |
| от 37 | 281,03 |
Описание
Микросхема энергонезависимой памяти EEPROM от Microchip объёмом 1 Мбит. Работает на частоте до 20 МГц, выполнена в компактном корпусе SOIJ-8 и рассчитана на широкий диапазон температур от -40 до +125°C. Подходит для хранения конфигурационных данных в промышленной автоматике и автомобильной электронике.
Технические характеристики
| Корпус | 8-lead SOIJ |
| Без свинца | Да |
| Тип монтажа | SMD |
| Ресурс | 1M erase/write cycles |
| Интерфейс | SPI |
| Размер страницы | 256 byte |
| Кол-во выводов | 8 |
| Vcc range | 2.5V to 5.5V |
| Описание | 1 Mbit SPI Bus Serial EEPROM |
| Объем памяти | 1 Mbit |
| Артикул | 25LC1024T-E/SM |
| Организация | 1024 Kbit |
| Сохранение данных | >200 years |
| Защита от ЭСР | >4000 V |
| Соотв. RoHS | Да |
| Ток в режиме ожидания | 20 µA at 5.5V, 125°C; 12 µA at 5.5V, 85°C |
| Read current max | 7 mA at 5.5V, 20 MHz |
| Write current max | 5 mA at 5.5V, 20 MHz |
| Chip erase time max | 10 ms |
| Макс. такт. частота | 20 MHz |
| Page erase time max | 6 ms |
| Макс. ток дежурного режима | 1 µA at 2.5V (deep power-down) |
| Макс. время цикла записи | 6 ms |
| Sector erase time max | 10 ms |
| Operating current read | 10 mA at 5.5V, 20 MHz; 5 mA at 2.5V, 10 MHz |
| Operating current write | 7 mA at 5.5V; 5 mA at 2.5V |
| Sector write protection | 32K byte/sector; protect none, 1/4, 1/2 or all of array |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Макс. внутр. емкость | 7 pF |
| Макс. ток утечки входа | ±1 µA |
| Диап. темп. хр. | -65°C to 150°C |
| Write protection features | Power-on/off data protection circuitry, Write enable latch, Write-protect pin |
| Clock frequency conditions | 4.5V ≤ VCC ≤ 5.5V (I); 10 MHz for 2.5V ≤ VCC < 5.5V (I, E) |
| Абс. макс. вх. напр. | -0.6V to VCC +1.0V |
| Макс. ток утечки | ±1 µA |
| Deep power down current max | 1 µA at 2.5V, 85°C; 2 µA at 2.5V, 125°C |
| Макс. входное низкое напряжение | 0.3 VCC (VCC ≥ 2.7V); 0.2 VCC (VCC < 2.7V) |
| Абс. макс. напряжение питания | 6.5V |
| High level input voltage max | VCC + 1 V |
| Мин. Uвх высокого уровня | 0.7 VCC |
| Low level output voltage max | 0.4 V at IOL = 2.1 mA |
| Temperature range automotive | -40°C to +125°C |
| Temperature range industrial | -40°C to +85°C |
| Описание (англ.) | EEPROM 1MBIT 20MHZ 8SOIJ |
| High level output voltage min | VCC - 0.2 V at IOH = -400 µA |
| Ambient temperature under bias | -40°C to 125°C |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?