Документация
Микросхема памяти 23LC1024T-I/SN
У поставщика
У поставщиков
569 шт.
Норм. уп.: 3300
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:569 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3300
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 315,09 |
| от 14 | 298,61 |
| от 27 | 285,52 |
| от 53 | 274,02 |
| от 106 | 266,26 |
Описание
Микросхема оперативной памяти SRAM от Microchip. Модель 23LC1024T-I/SN имеет объем 1 Мбит и поддерживает интерфейс SPI, что обеспечивает высокую скорость обмена данными. Предназначена для временного хранения информации в системах, где требуется быстрый доступ к данным при низком энергопотреблении. Выполнена в корпусе SOIC-8, подходит для промышленного диапазона температур.
Технические характеристики
| Корпус | 8-lead SOIC |
| Vcc max | 5.5V |
| Vcc min | 2.5V |
| Тип монтажа | SMD |
| Интерфейс | SPI, SDI (dual), SQI (quad) |
| Размер страницы | 32-byte |
| Кол-во выводов | 8 |
| Vcc range | 2.5V to 5.5V |
| Write time | Zero |
| Описание | 1Mbit SPI Serial SRAM with SDI and SQI Interface |
| Объем памяти | 1Mbit |
| Артикул | 23LC1024T-I/SN |
| Cs hold time | 50ns |
| Организация | 128K x 8-bit |
| Read current | 3mA at 5.5V, 20MHz |
| Cs setup time | 25ns |
| Clock low time | 25ns |
| Data hold time | 10ns |
| Hold hold time | 10ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Clock fall time | 20ns |
| Clock high time | 25ns |
| Clock rise time | 20ns |
| Cs disable time | 25ns |
| Data setup time | 10ns |
| Hold setup time | 10ns |
| Ток в режиме ожидания | 4µA at +85°C |
| Absolute max vcc | 6.5V |
| Clock delay time | 25ns |
| Output hold time | 0ns |
| Read current max | 10mA |
| Вх. емкость | 7pF |
| Read write cycles | Unlimited |
| Макс. такт. частота | 20MHz |
| Output disable time | 20ns |
| Вх. ток утечки | ±1µA |
| Ток утечки вых. | ±1µA |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| High level input voltage | 0.7VCC to VCC+0.3V |
| Low level output voltage | 0.2V at IOL=1mA |
| Absolute max input output | -0.3V to VCC+0.3V |
| High level output voltage | VCC-0.5V at IOH=-400µA |
| Hold high to output valid | 50ns |
| Hold low to output high z | 10ns |
| Диап. темп. хр. | -65°C to +150°C |
| Max clock frequency e temp | 16MHz |
| Ram data retention voltage | 1.0V |
| Диап. раб. темп. | -40°C to +85°C |
| Output valid from clock low | 25ns |
| Описание (англ.) | SRAM 1MBIT 20MHZ 8SOIC |
| Ambient temperature under bias | -40°C to +125°C |
| Standby current max e temp 2 2v | 12µA |
| Standby current max e temp 5 5v | 20µA |
| Standby current max i temp 2 2v | 4µA |
| Standby current max i temp 5 5v | 10µA |
| Low level input voltage 23lc1024 | -0.3V to 0.1VCC |
| Рабочая температура | -40В°C ~ 85В°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?