+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
1N4448WS
Документация

Диод импульсный 75В 0.15А 4нс 1N4448WS

Артикул:775026
У поставщика
ПроизводительGalaxy ME
У поставщиков
3 173 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:3 173 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 608 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 11,14
от 4150,99
от 8300,87
от 1 6590,77
от 3 0000,70
Описание

Импульсный диод 1N4448WS от Galaxy ME. Компонент рассчитан на обратное напряжение до 75 В, прямой ток до 0,15 А и обладает временем восстановления всего 4 нс. Выполнен в компактном корпусе SOD-323 для поверхностного монтажа. Подходит для высокоскоростных схем в бытовой электронике и промышленной автоматике.

Технические характеристики
Типfast switching diode
МаркировкаT5
КорпусSOD-323
Тип монтажаSMD
Shipping3000/Tape&Reel
Компонент1N4448WS
ОписаниеSurface mount fast switching diode
Dimension C0.9mm typical
Dimension J0.1mm typical
Dimension A max1.325mm
Dimension A min1.275mm
Dimension B max1.725mm
Dimension B min1.675mm
Dimension D max0.35mm
Dimension D min0.25mm
Dimension E max0.37mm
Dimension E min0.27mm
Dimension H max0.1mm
Dimension H min0.02mm
Dimension K max2.7mm
Dimension K min2.6mm
Рассеиваемая мощность200mW
Dc reverse voltage75V
Макс. прямое напряжение0.72V
Мин. прямое напряжение0.62V
Макс. обратный ток2.5μA
Ср.кв. обратное напряжение53V
ПримечаниеДиод 75V 0.15A 4ns
Forward voltage max 20.855V
Forward voltage max 31.0V
Forward voltage max 41.25V
Reverse current max 225nA
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
Обратное пробивное напряжение75V
Макс. время обрат. восстановления4.0ns
Capacitance test conditionVR=0, f=1.0MHz
Непрерывный прямой ток500mA
Раб. имп. обратное напряжение75V
Описание (англ.)DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323
Имп. обратное напряжение75V
Средний выпрямленный выходной ток250mA
Forward voltage test condition 1IF=5mA
Forward voltage test condition 2IF=10mA
Forward voltage test condition 3IF=100mA
Forward voltage test condition 4IF=150mA
Reverse current test condition 1VR=75V
Reverse current test condition 2VR=20V
Capacitance between terminals max4.0pF
Неповторяющееся импульсное обратное напряжение100V
Reverse recovery time test conditionIF=IR=10mA, Irr=0.1×IR, RL=100Ω
Рабочая температура-40...+150C
Термосопротивление переход-среда625°C/W
Диапазон раб. и темп. хранения-65 to +150°C
Reverse breakdown voltage test conditionIR=1.0μA
Non repetitive peak forward surge current 1s2.0A
Non repetitive peak forward surge current 1us4.0A

Заметили ошибку в описании или параметрах?