Документация
198НТ7А, (1990-91г)
У поставщика
ПроизводительВЕНТА
У поставщиков
175 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:175 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 20 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 103,50 |
| от 10 | 72,45 |
| от 100 | 62,10 |
Описание
Транзисторная матрица 198НТ7А производства «ВЕНТА» — сборка из нескольких PNP транзисторов в корпусе DIP для выводного монтажа. Коэффициент усиления по току (hFE) от 30 до 250 при напряжении -3 В и токе 0,5 мА, напряжение насыщения коллектор-эмиттер не более -0,5 В. Подходит для применения в промышленной автоматике и коммутационных узлах.
Технические характеристики
| Масса | 0.8g |
| Тип | PNP transistor matrix |
| IL max | 50nA |
| HFE max | 250 |
| HFE min | 30 |
| Корпус | unknown (likely DIP) |
| ICBO max | -0.075μA |
| IEBO max | 100nA |
| Тип монтажа | THT |
| Полярность | PNP |
| VBE sat max | -0.85V |
| VCE sat max | -0.5V |
| HFE conditions | U=-3V, I=0.5mA |
| ICBO conditions | U_CB=-15V |
| VBE sat conditions | I_C=-3mA, I_B=-0.5mA |
| VCE sat conditions | I_C=-3mA, I_B=-0.5mA |
| Static sensitivity | 200V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?