Документация
Драйвер IR2155PBF
У поставщика
У поставщиков
26 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:26 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 242,44 |
| от 6 | 239,25 |
| от 12 | 235,20 |
| от 23 | 229,74 |
| от 50 | 222,21 |
Описание
IR2155PBF — полумостовой драйвер верхнего и нижнего плеча от Infineon, выполненный в корпусе DIP-8. Микросхема объединяет в себе генератор с регулируемой частотой и встроенный тактовый генератор, что упрощает построение схем управления. Предназначена для использования в импульсных источниках питания, электронных балластах и преобразователях напряжения.
Технические характеристики
| Тип | half-bridge gate driver |
| Компонент | IR2153 |
| Время спада | 35ns |
| Время нарастания | 80ns |
| Рабочий цикл | 50% |
| Технология | HVIC CMOS |
| Deadtime typ | 1.2µs |
| Mounting dip | THT |
| Mounting soic | SMD |
| Dv dt immunity | 50V/ns |
| Package type dip | 8-lead PDIP |
| Описание | Gate Drivers HALF BRDG DRVR 600V 15.6Vclamp 1.2 |
| Package type soic | 8-lead SOIC |
| Voltage clamp vcc | 15.6V |
| Current supply max | 5mA |
| Voltage offset max | 600V |
| Current rt output max | 5mA |
| Dimensions soic width | 3.81-3.99mm |
| Power dissipation dip | 1.0W |
| Dimensions soic height | 1.35-1.75mm |
| Dimensions soic length | 4.80-4.98mm |
| Power dissipation soic | 0.625W |
| Voltage supply vcc max | 20V |
| Voltage supply vcc min | 10V |
| Temperature ambient max | 125°C |
| Temperature ambient min | -40°C |
| Макс. темп. хранения | 150°C |
| Мин. темп. хранения | -55°C |
| Voltage uvlo hysteresis | 1.0V |
| Temperature junction max | 150°C |
| Current output low pulsed | 400mA |
| Current output high pulsed | 200mA |
| Current supply startup vcc | 90µA |
| Shutdown propagation delay | 660ns |
| Voltage uvlo negative going | 8.0V |
| Voltage uvlo positive going | 9.0V |
| Current supply quiescent vbs | 10µA |
| Current supply quiescent vcc | 400µA |
| Oscillator frequency formula | f = 1/(1.4*(R_T+75Ω)*C_T) |
| Thermal resistance junction ambient dip | 125°C/W |
| Thermal resistance junction ambient soic | 200°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?