Документация
Полевой транзистор IRF7413ZTRPBF
Нет в наличии
Описание
Полевой транзистор Infineon IRF7413ZTRPBF — это MOSFET с изолированным затвором. Компонент рассчитан на ток до 13 А и напряжение сток-исток 30 В, выпускается в компактном корпусе SO-8. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала подходит для цепей управления питанием в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | N-channel Power MOSFET |
| Корпус | SO-8 |
| Макс. Vds | 30V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| FET Type | N-Channel |
| Тип монтажа | SMD |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Время спада | 3.8ns |
| Ток стока импульсный | 100A |
| Время нарастания | 6.3ns |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Idss ta 25c | 1.0µA |
| Артикул | IRF7413ZTRPBF |
| Idss ta 125c | 150µA |
| Igss forward | 100nA |
| Igss reverse | -100nA |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Output charge | 5.6nC |
| Switch charge | 4.0nC |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Описание | MOSFET N-CH 30V 13A 8SO |
| Макс. пороговое Vgs | 2.25V |
| Мин. пороговое Vgs | 1.35V |
| Vgs threshold typ | 1.80V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.25V @ 25µA |
| Время задержки включения | 8.7ns |
| Gate resistance max | 4.5Ω |
| Gate resistance typ | 2.3Ω |
| Время задержки выключения | 11ns |
| Gate to drain charge | 3.0nC |
| Id continuous ta 25c | 13A |
| Id continuous ta 70c | 10A |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Avalanche current max | 10A |
| Gate charge overdrive | 2.5nC |
| Тип. входная емкость | 1210pF |
| Заряд затвора макс. | 14nC |
| Тип. заряд затвора | 9.5nC |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 13A, 10V |
| Коэффициент снижения мощности | 0.02W/°C |
| Выходная емкость тип. | 270pF |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Прямая крутизна | 62S |
| Power dissipation ta 25c | 2.5W |
| Power dissipation ta 70c | 1.6W |
| Rdson vgs 10v id 13a max | 10mΩ |
| Rdson vgs 10v id 13a typ | 8.0mΩ |
| Напр. диода макс. | 1.0V |
| Rdson vgs 4 5v id 10a max | 13mΩ |
| Rdson vgs 4 5v id 10a typ | 10.5mΩ |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
| Gate to source charge pre vth | 3.0nC |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Gate to source charge post vth | 1.0nC |
| Diode reverse recovery time max | 36ns |
| Diode reverse recovery time typ | 24ns |
| Pulsed source current body diode | 100A |
| Обр. проходная емкость тип. | 140pF |
| Avalanche energy single pulse max | 32mJ |
| Diode reverse recovery charge max | 24nC |
| Diode reverse recovery charge typ | 16nC |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.025V/°C |
| Gate threshold voltage coefficient | -5.0mV/°C |
| Тепловое сопротивление переход-вывод | 20°C/W (max) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1210 pF @ 15 V |
| Continuous source current body diode | 3.1A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Термосопротивление переход-среда | 50°C/W (max) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
| Напряжение, В | 30 |
| Ток, А | 13 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?