Документация
Микросхема 2SA1941-OQ
У поставщика
У поставщиков
93 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:93 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 73,49 |
| от 10 | 67,71 |
Описание
Транзистор 2SA1941-OQ производства Toshiba представляет собой мощный PNP-биполярный прибор, предназначенный для использования в выходных каскадах усилителей звуковой частоты. Компонент отличается высокой линейностью и способностью работать при значительных токах коллектора, что обеспечивает качественное усиление аудиосигнала. Выпускается в корпусе TO-3P(L) и часто применяется в паре с дополнительным NPN-транзистором 2SC5200 для построения высококачественных Hi-Fi усилителей.
Технические характеристики
| Тип | PNP transistor |
| Корпус | TO-3P |
| Тип монтажа | Выводной |
| Полярность | PNP |
| Механические | Вес: 4.7g typical; Размеры: Ширина: 15.9 mm max; Высота: 4.8 mm max; Шаг выводов: 5.45 mm; Длина корпуса: 20.0 mm; Общая длина: 20.5 mm; Диаметр монтажного отверстия: 3.2 mm |
| Применение | Power amplifier, 70W Hi-Fi audio |
| Предельные значения | Ток базы: 1A; Ток коллектора: 10A; Рассеиваемая мощность: 100W; Напряжение эмиттер-база: 5V; Темп. перехода: 150°C; Напряжение коллектор-база: 140V; Напряжение коллектор-эмиттер: 140V; Диап. темп. хр.: -55 to 150°C |
| Артикул | 2SA1941-OQ |
| Комплементарный к | 2SC5198 |
| Описание | Bipolar Transistors - BJT PNP VCEO -140V 70-W DC -10A 100W |
| Классификация hFE | O (80-160) |
| Электрические характеристики | Выходная емкость: 320 pF; Напряжение база-эмиттер: Max: 1.5V; Typical: 1.0V; Conditions: Vce=-5V, Ic=-5A; Hfe1: Max: 160; Min: 55; Conditions: Vce=-5V, Ic=-1A; Classification O: Max: 160; Min: 80; Hfe2: Max: 83; Min: 35; Conditions: Vce=-5V, Ic=-5A; Частота перехода: 30 MHz; Ток отсечки эмиттера: 5.0 µA max; Ток отсечки коллектора: 5.0 µA max; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 140V min; Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: Max: 2.0V; Conditions: Ic=-7A, Ib=-0.7A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?