Документация
Транзистор MUR620CTG
У поставщика
У поставщиков
207 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:207 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 24 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 29,60 |
| от 25 | 28,60 |
| от 50 | 27,23 |
| от 100 | 25,36 |
| от 200 | 23,35 |
Описание
Транзистор MUR620CTG производства ON Semiconductor представляет собой ультрабыстрый выпрямительный диод с малым временем восстановления. Предназначен для использования в импульсных источниках питания и преобразователях, где требуется высокая эффективность. Компонент отличается низким прямым падением напряжения и высокой устойчивостью к перегрузкам.
Технические характеристики
| Цоколевка | 1: Anode, 2: Cathode, 3: Anode, 4: Cathode |
| Вес | 1.9g |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип монтажа | Выводной |
| Код корпуса | TO-220AB CASE 221A |
| Тип устройства | Ultrafast Switch Mode Power Rectifier |
| Артикул | MUR620CTG |
| Размеры мм | A: 14.48-15.75; B: 9.66-10.53; C: 4.07-4.83; D: 0.64-0.96; F: 3.61-4.09; G: 2.42-2.66; H: 2.80-4.10; J: 0.36-0.61; K: 12.70-14.27; L: 1.15-1.52; N: 4.83-5.33; Q: 2.54-3.04; R: 2.04-2.79; S: 1.15-1.39; T: 5.97-6.47; U: 0.00-1.27; V: 1.15 min; Z: 2.04 max |
| Ном. напряжение | 200V |
| Размеры в дюймах | A: 0.570-0.620; B: 0.380-0.415; C: 0.160-0.190; D: 0.025-0.038; F: 0.142-0.161; G: 0.095-0.105; H: 0.110-0.161; J: 0.014-0.024; K: 0.500-0.562; L: 0.045-0.060; N: 0.190-0.210; Q: 0.100-0.120; R: 0.080-0.110; S: 0.045-0.055; T: 0.235-0.255; U: 0.000-0.050; V: 0.045 min; Z: 0.080 max |
| Diode configuration | dual common cathode |
| Время обратного восстановления | 20-30ns typ / 35ns max |
| Dc blocking voltage vr | 200V |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Forward voltage at 3a 25c | 0.94V typ / 0.975V max |
| Диап. темп. хр. | -65 to +175°C |
| Forward voltage at 3a 150c | 0.80V typ / 0.895V max |
| Температура пайки выводов | 260°C max for 10 seconds |
| Макс. температура перехода | 175°C |
| Описание (англ.) | DIODE ARRAY GP 200V 3A TO220AB |
| Reverse current at rated dc 25c | 0.01-3.0µA typ / 5.0µA max |
| Reverse current at rated dc 150c | 2.0-10µA typ / 250µA max |
| Reverse recovery test conditions | IF=1.0A, di/dt=50A/µs |
| Working peak reverse voltage vrwm | 200V |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 7.0°C/W max (typical 5.0-6.0°C/W per diode leg) |
| Диапазон темп. перехода | -65 to +175°C |
| Peak repetitive reverse voltage vrrm | 200V |
| Non repetitive peak surge current ifsm | 75A |
| Average rectified forward current total | 6.0A |
| Peak repetitive forward current per leg | 6.0A |
| Average rectified forward current per diode | 3.0A |
| Thermal resistance junction to ambient free air | 60°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient with heatsink | 16°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?