Документация
Диод SMD MMSD914T1G
У поставщика
У поставщиков
6 444 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:6 444 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 316 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,19 |
| от 242 | 1,92 |
| от 483 | 1,70 |
| от 966 | 1,52 |
| от 1 931 | 1,38 |
Описание
Диод SMD MMSD914T1G от ON Semiconductor — быстродействующий сигнальный компонент в корпусе SOD-123. Работает при обратном напряжении до 100 В и прямом токе до 200 мА. Подходит для высокоскоростной коммутации в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | CASE 425 |
| Корпус | SOD-123 |
| Без свинца | Да |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | A: 0.94-1.35mm; D: 1.40-1.80mm; E: 2.54-2.84mm; L: 0.25mm min; B: 0.51-0.71mm; C: 0.15mm max; A1: 0.00-0.10mm; HE: 3.56-3.86mm |
| Описание | Switching Diode |
| Артикул | MMSD914T1G |
| Без галогенов | Да |
| PPAP | Да |
| Соотв. RoHS | Да |
| Прямое напряжение | 1000mVdc |
| Снижение выше 25°C | 3.4mW/°C |
| Емкость диода | 4.0pF |
| Конфиг. выводов | Pin 1: Cathode, Pin 2: Anode |
| AEC-Q101 | Да |
| Soldering footprint | Pad pitch: 2.36mm; Pad width: 1.22mm; Pad height: 0.91mm; Pad length: 4.19mm |
| Макс. прямой ток | 200mAdc |
| Время обратного восстановления | 4.0ns |
| Total device dissipation | 425mW |
| Обратное пробивное напряжение | 100Vdc |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Continuous reverse voltage | 100Vdc |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to +150°C |
| Имп. прямой ток | 500mAdc |
| Reverse voltage leakage 20v | 25nAdc |
| Reverse voltage leakage 75v | 5.0uAdc |
| Термосопротивление переход-среда | 290°C/W |
| Non repetitive peak forward surge current 1s | 1.0A |
| Non repetitive peak forward surge current 1us | 2.0A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?