Документация
Диод SMD BAV70LT1G
У поставщика
У поставщиков
51 142 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:51 142 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 260 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,66 |
| от 1 073 | 2,17 |
| от 2 146 | 1,79 |
| от 6 000 | 1,53 |
| от 9 000 | 1,37 |
Описание
Диод SMD BAV70LT1G от ON Semiconductor — это сдвоенный быстродействующий диод с общей точкой катода. Выполнен в миниатюрном корпусе SOT-23, рассчитан на ток до 200 мА и обратное напряжение 70 В. Подходит для высокоскоростной коммутации в промышленной автоматике и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Цоколевка | 1=anode, 2=anode, 3=cathode |
| Маркировка | A4 |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Код корпуса | 318-08 |
| Без свинца | Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS Compliant |
| Размеры | A: 0.89-1.11mm; B: 0.37-0.50mm; C: 0.08-0.20mm; D: 2.80-3.04mm; E: 1.20-1.40mm; L: 0.30-0.55mm; A1: 0.01-0.10mm; He: 2.10-2.64mm; L1: 0.35-0.69mm; Шаг: 1.90mm nominal; Lead angle: 0-10° |
| Описание | Dual Switching Diode, Common Cathode |
| Артикул | BAV70LT1G |
| Производитель | onsemi |
| Конфигурация | dual common cathode |
| Прямой ток | 200mA |
| Обратное напряжение | 100V |
| Емкость диода | 1.5pF max at VR=0V, f=1MHz |
| Время обратного восстановления | 6ns max (IF=IR=10mA, IR(REC)=1.0mA, RL=100Ω) |
| Forward voltage if 1ma | 715mV max |
| Forward voltage if 10ma | 855mV max |
| Forward voltage if 50ma | 1000mV max |
| Обратный ток утечки | 1.0µA max at VR=100V |
| Forward voltage if 150ma | 1250mV max |
| Обратное пробивное напряжение | 100V min at IR=100µA |
| Derate above 25c fr5 board | 1.8mW/°C |
| Имп. прямой ток | 500mA |
| Повторяющийся пиковый прямой ток | 1.5A (pulse wave=1s, duty cycle=66%) |
| Reverse leakage current 25v 150c | 60µA max |
| Reverse leakage current 70v 150c | 100µA max |
| Derate above 25c alumina substrate | 2.4mW/°C |
| Total device dissipation fr5 board | 225mW |
| Неповторяющийся импульсный ток | 31A (t=1µs), 16A (t=10µs), 10A (t=100µs), 4.5A (t=1ms), 2.5A (t=10ms), 1.0A (t=100ms) |
| Junction and storage temperature range | -55 to +150°C |
| Total device dissipation alumina substrate | 300mW |
| Thermal resistance junction to ambient fr5 board | 556°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient alumina substrate | 417°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?