Транзистор IRFBE30PBF
У поставщика
У поставщиков
605 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:605 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 90,31 |
Описание
Транзистор IRFBE30PBF производства Vishay (ранее International Rectifier) — это мощный полевой MOSFET с изолированным затвором. Компонент предназначен для высоковольтных схем, обеспечивая эффективное переключение и высокую надежность. Применяется в импульсных источниках питания и преобразователях напряжения.
Технические характеристики
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Описание | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 2.5A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.1A (Tc) |
| Корпус | TO220 |
| Напряжение, В | 800 |
| Тип монтажа | Выводной |
| Ток, А | 4,1 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?