Технические характеристики:
Структура: N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт: 0.12
Крутизна характеристики S,мА/В: 3
Приглашаем посетить
наш стенд на выставке
ExpoElectronica
с 15 по 17 апреля
Москва, МВЦ «Крокус Экспо», павильон 3, зал 14, стенд B1119.
Промокод для бесплатного билета:
ee25eRLEA
Личный кабинет предназначен для резервирования, заказа, оформления счета на оплату и получения электронных компонентов, хранящихся на складах и удаленных складах поставщиков.
