Документация
Транзистор MUN5213DW1T1G
У поставщика
У поставщиков
1 762 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:1 762 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 164 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,23 |
| от 141 | 3,83 |
| от 282 | 3,43 |
| от 564 | 3,07 |
| от 1 127 | 2,78 |
Описание
Транзистор MUN5213DW1T1G от ON Semiconductor представляет собой сдвоенный NPN-биполярный транзистор с встроенными резисторами (цифровой транзистор). Компонент выполнен в компактном корпусе SOT-363 и предназначен для поверхностного монтажа. Благодаря встроенным резисторам упрощается проектирование схем и сокращается количество внешних компонентов, что делает его удобным для использования в цепях коммутации и управления нагрузкой в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Корпус | SOT-363-6 |
| Снижение характеристик | 1.5mW/°C one junction min pad; 2.0mW/°C one junction 1.0x1.0 inch pad; 2.0mW/°C both junctions min pad; 3.0mW/°C both junctions 1.0x1.0 inch pad |
| Тип монтажа | SMD |
| Shipping | 3000 / Tape & Reel |
| Компонент | MUN5213DW1T1G |
| Кол-во выводов | 6 |
| Описание | Dual NPN Bias Resistor Transistor (BRT) with monolithic bias resistor network R1=47kΩ, R2=47kΩ |
| Конфигурация | Dual NPN with bias resistor network |
| Квалификация | S and NSV prefixes AEC-Q101 qualified and PPAP capable; this base part is not necessarily automotive qualified |
| Соотв. RoHS | Pb-Free, Halogen Free/BFR Free, RoHS Compliant |
| Описание | Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V |
| Input resistor r1 | 47kΩ nominal, 32.9kΩ min, 61.1kΩ max |
| Dc current gain hfe | 80 min / 140 typ at IC=5mA, VCE=10V |
| Ток коллектора Ic | 100mA |
| Power dissipation pd | 187mW one junction, FR-4 minimum pad, TA=25°C; 256mW one junction, FR-4 1.0x1.0 inch pad; 250mW both junctions, FR-4 minimum pad; 385mW both junctions, FR-4 1.0x1.0 inch pad |
| Resistor ratio r1 r2 | 1.0 nominal, 0.8 min, 1.2 max |
| Number of transistors | 2 |
| Output voltage on vol | 0.2V max at VCC=5V, VB=3.5V, RL=1kΩ |
| Input voltage on vi on | 1.9V typ at VCE=0.2V, IC=3mA |
| Output voltage off voh | 4.9V min at VCC=5V, VB=0.5V, RL=1kΩ |
| Base emitter resistor r2 | 47kΩ (derived from R1 and R1/R2 ratio) |
| Input voltage off vi off | 1.2V typ at VCE=5V, IC=100μA |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Напряжение коллектор-база Vcbo | 50V |
| Input forward voltage vin fwd | 40V |
| Input reverse voltage vin rev | 10V |
| Напряжение коллектор-эмиттер Vceo | 50V |
| Emitter base cutoff current iebo | 0.1mA max at VEB=6V, IC=0 |
| Collector base cutoff current icbo | 100nA max at VCB=50V, IE=0 |
| Тепловое сопротивление переход-вывод | 188°C/W min pad; 208°C/W 1.0x1.0 inch pad |
| Collector emitter cutoff current iceo | 500nA max at VCE=50V, IB=0 |
| Термосопротивление переход-среда | 670°C/W one junction min pad; 490°C/W one junction 1.0x1.0 inch pad; 493°C/W both junctions min pad; 325°C/W both junctions 1.0x1.0 inch pad |
| Collector base breakdown voltage v br cbo | 50V min at IC=10μA, IE=0 |
| Collector emitter breakdown voltage v br ceo | 50V min at IC=2mA, IB=0 |
| Collector emitter saturation voltage vce sat | 0.25V max at IC=10mA, IB=0.3mA |
| Напряжение, В | 50 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?