+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
CAT24C256WI-GT3
Документация

Микросхема CAT24C256WI-GT3

Артикул:5676
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
Ед. изм.шт
У поставщиков
5 353 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены (собственный склад)
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 130,49
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:1 296 шт
Срок поставки: до 2 недель
Норм. уп.: 3000
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 130,49
Склад 13
В наличии:4 057 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 20 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 137,71
от 9334,72
от 18632,35
от 37230,28
от 74428,89
Описание

Микросхема памяти EEPROM от ON Semiconductor. Работает при напряжении от 1,8 до 5,5 В, имеет объем 256 Кбит и выпускается в корпусе SOIC-8 для поверхностного монтажа. Диапазон рабочих температур составляет от -40 до +85 °C. Применяется в промышленной автоматике и бытовой электронике для хранения настроек и калибровочных данных.

Технические характеристики
EccOn-Chip ECC (Error Correction Code)
Контактов8
В упаковкеDigi-Reel®
КорпусSOIC-8
Без свинцаДа
Тип монтажаSMD
Ресурс1,000,000 cycles
ИнтерфейсI2C
Рабочая температура-40...+85
Объем памяти256 Kb
Address pinsA0, A1, A2
Без галогеновДа
Организация32,768 words x 8 bits
КорпусCASE 751BD
Read current1 mA
Input leakage1 µA (85°C), 2 µA (125°C)
Supports fast400 kHz
Wp setup time0us
Write current3 mA
Write protectHardware (WP pin)
Сохранение данных100 years
Fall time fast300ns
Rise time fast300ns
Соотв. RoHSДа
Тактовая частота100 kHz (Standard), 400 kHz (Fast), 1 MHz (Fast-Plus)
Ток в режиме ожидания2 µA (85°C), 5 µA (125°C)
Error correctionECC (6 bits per 4 data bytes)
Диап. вх. напр.1.8V ~ 5.5V
Write cycle time5 ms
Data in hold time0us
Page write buffer64 bytes
Power up to ready1 ms (Standard/Fast), 0.1 ms (Fast-Plus, VCC 2.5-5.5V)
Supports standard100 kHz
Wp hold time fast2.5us
Bus free time fast1.3us
Data out hold time50ns
Fall time standard300ns
Io pin leakage 85c1uA
Max devices on bus8
Max voltage on pin6.5V
Низкое выходное напряжение0.4V (VCC≥2.5V, IOL=3mA), 0.2V (VCC<2.5V, IOL=1mA)
Rise time standard1000ns
Макс. напр. пит.5.5V
Мин. напр. пит.1.8V
Supports fast plus1 MHz
Fall time fast plus100ns
Io pin leakage 125c2uA
Low period scl fast1.3us
Pin capacitance sda8 pF
Rise time fast plus100ns
Standby current 85c2uA
Темп. хранения-65°C to +150°C
Clock frequency fast400kHz
High period scl fast0.6us
Noise pulse filtered50ns
Standby current 125c5uA
Wp input current vih2uA
Pin capacitance other6 pF
Макс. диапазон температур+125°C
Мин. диапазон температур-40°C
Wp hold time standard2.5us
Bus free time standard4.7us
Power up to ready mode1ms
Sda io pin capacitance8pF
Voltage on any pin max+6.5V
Voltage on any pin min-0.5V
Wp hold time fast plus1us
Bus free time fast plus0.5us
Data in setup time fast100ns
Low period scl standard4.7us
Макс. темп. хр.+150°C
Мин. темп. хр.-65°C
Clock frequency standard100kHz
High period scl standard4us
Low period scl fast plus0.45us
Wp address input currentup to 75 µA (VCC=5.5V, VIN<VIH)
Clock frequency fast plus1MHz
High period scl fast plus0.40us
Wp input current vcc 1 8v25uA
Wp input current vcc 3 3v50uA
Wp input current vcc 5 5v75uA
Data in setup time standard250ns
Диап. раб. темп.-40°C to +85°C (Industrial), -40°C to +125°C (Extended)
Data in setup time fast plus50ns
Input capacitance other pins6pF
Input low voltage 1 8v to 2 5v0.25 x VCC
Input low voltage 2 5v to 5 5v0.3 x VCC
Output low voltage vcc ge 2 5v0.4V
Output low voltage vcc lt 2 5v0.2V
Scl low to data out valid fast0.9us
Start condition hold time fast0.6us
Stop condition setup time fast0.6us
Input high voltage 1 8v to 2 5v0.75 x VCC
Input high voltage 2 5v to 5 5v0.7 x VCC
Start condition setup time fast0.6us
Scl low to data out valid standard3.5us
Start condition hold time standard4us
Stop condition setup time standard4us
Scl low to data out valid fast plus0.40us
Start condition hold time fast plus0.25us
Start condition setup time standard4.7us
Stop condition setup time fast plus0.25us
Start condition setup time fast plus0.25us

Заметили ошибку в описании или параметрах?