Документация
Описание
Силовой N-канальный MOSFET-транзистор STP12N65M5 от производителя из Китая. Выдерживает напряжение до 650 В, импульсный ток до 34 А и мощность 70 Вт, выполнен в корпусе TO-220 для монтажа в отверстия. Благодаря технологии MDmesh V и низкому сопротивлению открытого канала (0,43 Ом) подходит для импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | N-channel Power MOSFET |
| Pd макс. | 70W |
| Корпус | TO-220 |
| Макс. Vds | 650V |
| Макс. Vgs | ±25V |
| Тип монтажа | Выводной |
| Ток стока импульсный | 34A |
| Rds(вкл) макс. | 0.43Ω |
| Технология | MDmesh V |
| Vgs порог макс. | 5V |
| Vgs порог мин. | 3V |
| Vgs(th) тип. | 4V |
| Тип. время спада | 15.6ns |
| Тип. время нарастания | 17.6ns |
| Сопротивление открытого канала, тип. | 0.39Ω |
| Dv dt capability | 15V/ns |
| Crossing time typ | 23.4ns |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Условия измерения сопротивления сток-исток | Vgs=10V, Id=4.3A |
| Vgs th conditions | Vds=Vgs, Id=250μA |
| Gate charge gd typ | 8.3nC |
| Gate charge gs typ | 4.8nC |
| Непрерывный ток стока при 25 °C | 8.5A |
| Диапазон температур хранения | -55°C to 150°C |
| Ток стока длительный при TC 100 °C | 5.4A |
| Avalanche conditions | starting Tj=25°C, Id=Iar, Vdd=50V |
| Макс. темп. вывода | 300°C |
| Условия переключения | Vdd=400V, Id=5A, Rg=4.7Ω, Vgs=10V |
| Макс. лавинный ток | 2.5A |
| Общий заряд затвора, тип. | 20nC |
| Тип. входная емкость | 900pF |
| Условия измерения емкости | Vds=100V, f=1MHz, Vgs=0 |
| Gate charge conditions | Vdd=520V, Id=4.25A, Vgs=10V |
| Insulation voltage rms | 2500V |
| Выходная емкость тип. | 22pF |
| Время задержки вкл. тип. | 22.6ns |
| Тип. время восст. | 230ns |
| Тип. заряд восст. | 2.2μC |
| Условия обратного восстановления | Isd=8.5A, di/dt=100A/μs, Vdd=100V, Tj=25°C |
| Тип. ток обратного восстановления | 19A |
| Энергия лавины, одиночный импульс | 150mJ |
| Reverse recovery time 150c typ | 280ns |
| Source drain forward conditions | Isd=8.5A, Vgs=0 |
| Reverse recovery charge 150c typ | 2.7μC |
| Обр. проходная емкость тип. | 2pF |
| Source drain forward voltage max | 1.5V |
| Reverse recovery current 150c typ | 19A |
| Тепловое сопротивление переход-корпус, макс. | 1.79°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда, макс. | 62.5°C/W |
| Тип транзистора | N-channel Power MOSFET |
Заметили ошибку в описании или параметрах?